Помощь новичку - Страница 9

noxior · 12.11.2014, 00:57

Цитата:

Сообщение от Николай_С

Забыли пока про сигнал и про его усиление. Разбираемся с токами.
Ок?

Ну с токами я все понял, уже...Теперь бы открыть вторую сторону медали)

Николай_С · 12.11.2014, 00:58

Теперь, когда с путями токов определились, давайте разбираться с его величинами.
Из вышесказанного нужно отметить, что ток, протекающий в цепи эмиттера складывается из двух: базового и коллекторного. Иными словами Iэ = Iк + Iб
Экспериментальным путем выяснилось, что базовый ток меньше коллекторного в 50-100 раз (для обычного транзистора). Эту разницу назвали коэффициентом усиления.
Т.о. Iк = 50 * Iб

На счет этого возражений нет?

noxior · 12.11.2014, 01:02

Цитата:

Сообщение от Николай_С

Теперь, когда с путями токов определились, давайте разбираться с его величинами.
Из вышесказанного нужно отметить, что ток, протекающий в цепи эмиттера складывается из двух: базового и коллекторного. Иными словами Iэ = Iк + Iб
Экспериментальным путем выяснилось, что базовый ток меньше коллекторного в 50-100 раз (для обычного транзистора). Эту разницу назвали коэффициентом усиления.
Т.о. Iк = 50 * Iб

На счет этого возражений нет?

никак нет)

Николай_С · 12.11.2014, 01:05

Причем, коэффициент усиления определяется экспериментально, характерен для конкретного экземпляра транзистора и почти не меняется со временем, но зависит от рабочей точки. Поэтому в первом приближении можно считать его константой.

noxior · 12.11.2014, 01:06

Цитата:

Сообщение от Николай_С

Причем, коэффициент усиления определяется экспериментально, характерен для конкретного экземпляра транзистора и почти не меняется со временем, но зависит от рабочей точки. Поэтому в первом приближении можно считать его константой.

это понятно)

Николай_С · 12.11.2014, 01:08

Раз понятно, едем дальше.
Теперь давайте определимся с возможными сопротивлениями источника сигнала и нагрузки.
Вы верно заметили, что для протекания базового тока особых препятствий нет - это только внутреннее сопротивление источника сигнала и сопротивление перехода ЭБ транзистора.
Представив транзистор в виде диодов, становится понятным, что падение на переходе БЭ будет порядка 0,6 В для кремния.
Теперь можно представить, каким может быть сопротивление источника сигнала. Оно должно быть очень маленьким, иначе транзистор выйдет в нелинейный режим.
А вот на сопротивление Rн таких условий не налагается и оно м.б. достаточно большим. Фактически, оно определяется только возможностями основного источника питания и предельно допустимым напряжением КЭ в закрытом состоянии.

Николай_С · 12.11.2014, 01:14

Разве не это я Вам говорил тут?

Теперь можно поговорить об усилении.
Что такое усиление?
Это отношение изменения коллекторного тока при изменении базового. (Это определение и его надо запомнить.)
Теперь вопрос:
У нас изменилось напряжение на источнике сигнала. Как это отразится на токе?

noxior · 12.11.2014, 01:17

Цитата:

Сообщение от Николай_С

Раз понятно, едем дальше.
Теперь давайте определимся с возможными сопротивлениями источника сигнала и нагрузки.
Вы верно заметили, что для протекания базового тока особых препятствий нет - это только внутреннее сопротивление источника сигнала и сопротивление перехода ЭБ транзистора.
Представив транзистор в виде диодов, становится понятным, что падение на переходе БЭ будет порядка 0,6 В для кремния.
Теперь можно представить, каким может быть сопротивление источника сигнала. Оно должно быть очень маленьким, иначе транзистор выйдет в нелинейный режим.
А вот на сопротивление Rн таких условий не налагается и оно м.б. достаточно большим. Фактически, оно определяется только возможностями основного источника питания и предельно допустимым напряжением КЭ в закрытом состоянии.

0.6 вольт, насколько я понял это есть таблица где показано напряжения?
Все остальное для меня уже стало очевидным)

noxior · 12.11.2014, 01:19

Цитата:

Сообщение от Николай_С

Разве не это я Вам говорил тут?

Теперь можно поговорить об усилении.
Что такое усиление?
Это отношение изменения коллекторного тока при изменении базового. (Это определение и его надо запомнить.)
Теперь вопрос:
У нас изменилось напряжение на источнике сигнала. Как это отразится на токе?

Согласно закону ома, если падает напряжение должен расти ток, и наоборот.

Николай_С · 12.11.2014, 01:21

Это не таблица, это физика и справочные данные.
Надо почитать о падении напряжения на открытом p-n-переходе для разных материалов.
Например, для Германия это 0,25 В, для Кремния - 0,6 В, дл я арсенида Галия - 1,8 В.

12.11.2014, 00:58	#82 (permalink)
Николай_С Радиоинженер Регистрация: 25.09.2012 Адрес: г.Дзержинск Нижегородской обл. Сообщений: 25,309 Записей в дневнике: 7 Сказал(а) спасибо: 292 Поблагодарили 219 раз(а) в 70 сообщениях Репутация: 110185	Теперь, когда с путями токов определились, давайте разбираться с его величинами. Из вышесказанного нужно отметить, что ток, протекающий в цепи эмиттера складывается из двух: базового и коллекторного. Иными словами Iэ = Iк + Iб Экспериментальным путем выяснилось, что базовый ток меньше коллекторного в 50-100 раз (для обычного транзистора). Эту разницу назвали коэффициентом усиления. Т.о. Iк = 50 * Iб На счет этого возражений нет?

12.11.2014, 01:05	#84 (permalink)
Николай_С Радиоинженер Регистрация: 25.09.2012 Адрес: г.Дзержинск Нижегородской обл. Сообщений: 25,309 Записей в дневнике: 7 Сказал(а) спасибо: 292 Поблагодарили 219 раз(а) в 70 сообщениях Репутация: 110185	Причем, коэффициент усиления определяется экспериментально, характерен для конкретного экземпляра транзистора и почти не меняется со временем, но зависит от рабочей точки. Поэтому в первом приближении можно считать его константой.

Ads
Яндекс Member Регистрация: 31.10.2006 Сообщений: 40200 Записей в дневнике: 0 Сказал(а) спасибо: 0 Поблагодарили 0 раз(а) в 0 сообщениях Репутация: 55070

12.11.2014, 01:08	#86 (permalink)
Николай_С Радиоинженер Регистрация: 25.09.2012 Адрес: г.Дзержинск Нижегородской обл. Сообщений: 25,309 Записей в дневнике: 7 Сказал(а) спасибо: 292 Поблагодарили 219 раз(а) в 70 сообщениях Репутация: 110185	Раз понятно, едем дальше. Теперь давайте определимся с возможными сопротивлениями источника сигнала и нагрузки. Вы верно заметили, что для протекания базового тока особых препятствий нет - это только внутреннее сопротивление источника сигнала и сопротивление перехода ЭБ транзистора. Представив транзистор в виде диодов, становится понятным, что падение на переходе БЭ будет порядка 0,6 В для кремния. Теперь можно представить, каким может быть сопротивление источника сигнала. Оно должно быть очень маленьким, иначе транзистор выйдет в нелинейный режим. А вот на сопротивление Rн таких условий не налагается и оно м.б. достаточно большим. Фактически, оно определяется только возможностями основного источника питания и предельно допустимым напряжением КЭ в закрытом состоянии.

12.11.2014, 01:14	#87 (permalink)
Николай_С Радиоинженер Регистрация: 25.09.2012 Адрес: г.Дзержинск Нижегородской обл. Сообщений: 25,309 Записей в дневнике: 7 Сказал(а) спасибо: 292 Поблагодарили 219 раз(а) в 70 сообщениях Репутация: 110185	Разве не это я Вам говорил тут? Теперь можно поговорить об усилении. Что такое усиление? Это отношение изменения коллекторного тока при изменении базового. (Это определение и его надо запомнить.) Теперь вопрос: У нас изменилось напряжение на источнике сигнала. Как это отразится на токе?

12.11.2014, 01:21	#90 (permalink)
Николай_С Радиоинженер Регистрация: 25.09.2012 Адрес: г.Дзержинск Нижегородской обл. Сообщений: 25,309 Записей в дневнике: 7 Сказал(а) спасибо: 292 Поблагодарили 219 раз(а) в 70 сообщениях Репутация: 110185	Это не таблица, это физика и справочные данные. Надо почитать о падении напряжения на открытом p-n-переходе для разных материалов. Например, для Германия это 0,25 В, для Кремния - 0,6 В, дл я арсенида Галия - 1,8 В.