13.08.2012, 16:03 | #1 (permalink) |
Member
Регистрация: 28.07.2011
Сообщений: 275
Сказал(а) спасибо: 0
Поблагодарили 0 раз(а) в 0 сообщениях
Репутация: 193
|
Электронейтральность базы
Вопрос номер 1. А если в базе не будут пополнять основные носители заряда в базе , будет ли дальше диффундировать ток эмиттера???? Вопрос номер 2. Получается что внешним резистором в цепи базы , мы контролируем (задаём) необходимое количество носителей заряда для восполнения носителей после рекомбинации (упираемся в 1ый вопрос) ??? Но если ответ на 1 вопрос будет - "да" , то тогда цепь прямо смещенного эмиттерного перехода будет не замкнута и по идеи протекать ток не будет , так???? Последний раз редактировалось Abraziv; 13.08.2012 в 16:09 |
13.08.2012, 16:03 | |
Helpmaster
Member
Регистрация: 08.03.2016
Сообщений: 0
|
На форуме встречается много похожего, вот то, что схоже с вашим запросом Базы данных на Delphi NOD 32 2.7 новые базы сигнатур Перенос базы MySQL |
13.08.2012, 16:29 | #2 (permalink) | |
Member
Регистрация: 22.07.2012
Сообщений: 392
Сказал(а) спасибо: 0
Поблагодарили 0 раз(а) в 0 сообщениях
Репутация: 186
|
Цитата:
2- Да 3- Нет, в прямо смещённом переходе протекает ток. |
|
13.08.2012, 16:57 | #5 (permalink) |
Member
Регистрация: 28.07.2011
Сообщений: 275
Сказал(а) спасибо: 0
Поблагодарили 0 раз(а) в 0 сообщениях
Репутация: 193
|
То , что есть в интернете и книгах - это :
Процесс переноса инжектированных носителей через базу – диффузионный. Характерное расстояние, на которое неравновесные носители распространяются от области возмущения, – диффузионная длина Lp. Поэтому если необходимо, чтобы инжектированные носители достигли коллекторного пе- рехода, длина базы W должна быть меньше диффузионной длины Lp. Условие W < Lp является необходимым для реализации транзисторного эффекта – управления током во вторичной цепи через изменение тока в первичной цепи. В процессе диффузии через базу инжектированные неосновные носители рекомбинируют с основными носителями в базе. Для восполнения прорекомбинировавших основных носителей в базе через внешний контакт должно подойти такое же количество носителей. Таким образом, ток базы – это ре- комбинационный ток. Продиффундировавшие через базу без рекомбинации носители попадают в электрическое поле обратно смещенного коллекторного p-n перехода и экс- трагируются из базы в коллектор. Таким образом, в БТ реализуются четыре физических процесса: – инжекция из эмиттера в базу; – диффузия через базу; – рекомбинация в базе; – экстракция из базы в коллектор. Эти процессы для одного типа носителей Интересуют именно подробнее , слишком мало. |
Ads | |
Member
Регистрация: 31.10.2006
Сообщений: 40200
Записей в дневнике: 0
Сказал(а) спасибо: 0
Поблагодарили 0 раз(а) в 0 сообщениях
Репутация: 55070
|
13.08.2012, 17:04 | #6 (permalink) |
Member
Регистрация: 28.07.2011
Сообщений: 275
Сказал(а) спасибо: 0
Поблагодарили 0 раз(а) в 0 сообщениях
Репутация: 193
|
Вот если это так легко найти в нете, то вам наверное не составит труда ответить почему без пополнения прорекомбенированных зарядов в базе не будет дальше протекать эмиттерный ток и соответственно ток базы.
|
13.08.2012, 19:02 | #7 (permalink) |
Member
Регистрация: 22.07.2012
Сообщений: 392
Сказал(а) спасибо: 0
Поблагодарили 0 раз(а) в 0 сообщениях
Репутация: 186
|
Для понимания процесса предлагаю рассмотреть P-N переход.
В свободном состоянии основные носители из P и N областей устремляются (1) на встречу друг другу. На границе областей происходит рекомбинация (2), эта область истощается. В ней начинают преобладать неосновные носители имеющиеся в любом полупроводнике, возникает "объёмный потенциал" - E, препятствующий дальнейшему продвижению основных носителей. Для разных материалов от разный, Германий около 0,2-0,3 V, кремний - 0,56 V. Для протекания тока через PN переход в прямом направлении, нужно преодолеть его "объёмный потенциал". В транзисторах база-эмиттерный PN переход, точнее база делается очень тонкой, Носители попавшие из эмиттера частично рекомбинируют в базе, основная часть их "подхватывается" полем коллектора и движется далее в коллектор. Прекращение тока через база-эмиттерный переход означает что приложенный потенциал ниже "объёмного потенциала". |
14.08.2012, 01:16 | #9 (permalink) |
Member
Регистрация: 28.07.2011
Сообщений: 275
Сказал(а) спасибо: 0
Поблагодарили 0 раз(а) в 0 сообщениях
Репутация: 193
|
Спасибо, но это всё понятно. Имеется введу , что допустим имеется npn транзистор , транзистор загнали в активный режим. Из эмиттера в базу происходит обильная инжекция неосновных носителей заряда , которые накапливаются вблизи эмиттерного перехода со стороны базы. У коллекторного перехода со стороны базы концентрация электронов близка к нулю , так как там действует электрическое поле, перебрасывающее электроны из базы в коллектор ( экстракция ) . Значит в базе имеется градиент концентрации ( диффузия) ,по средством которой электроны продвигаются в глубь базы и так как ширина базы меньше диффузионной длины, то не успев рекомбинировать они пролетают к коллекторному переходу и экстрагируют , более медленные электроны всё же рекомбинируют в базе и база становится более положительной , для восстановления электронейтральности, из внешнего источника приходят новые дырки. Вот это для меня не понятно, хотя сам написал об этом. Туплю похожу.
|
14.08.2012, 01:27 | #10 (permalink) |
Member
Регистрация: 28.07.2011
Сообщений: 275
Сказал(а) спасибо: 0
Поблагодарили 0 раз(а) в 0 сообщениях
Репутация: 193
|
|
Ads | |
Member
Регистрация: 31.10.2006
Сообщений: 40200
Записей в дневнике: 0
Сказал(а) спасибо: 0
Поблагодарили 0 раз(а) в 0 сообщениях
Репутация: 55070
|
|
|