Для понимания процесса предлагаю рассмотреть P-N переход.
В свободном состоянии основные носители из P и N областей устремляются (1) на
встречу друг другу. На границе областей происходит рекомбинация (2), эта область истощается. В ней начинают преобладать неосновные носители имеющиеся в любом полупроводнике, возникает "объёмный потенциал" - E, препятствующий
дальнейшему продвижению основных носителей. Для разных материалов от разный,
Германий около 0,2-0,3 V, кремний - 0,56 V. Для протекания тока через PN переход
в прямом направлении, нужно преодолеть его "объёмный потенциал".
В транзисторах база-эмиттерный PN переход, точнее база делается очень тонкой,
Носители попавшие из эмиттера частично рекомбинируют в базе, основная часть их
"подхватывается" полем коллектора и движется далее в коллектор.
Прекращение тока через база-эмиттерный переход означает что приложенный потенциал
ниже "объёмного потенциала".