Технический форум
Вернуться   Технический форум > Электроника, самоделки и техника > Форум по электронике > Электроника для начинающих


Ответ
 
Опции темы Опции просмотра
Старый 13.08.2012, 16:03   #1 (permalink)
Abraziv
Member
 
Регистрация: 28.07.2011
Сообщений: 275
Сказал(а) спасибо: 0
Поблагодарили 0 раз(а) в 0 сообщениях
Репутация: 193
По умолчанию Электронейтральность базы

Всем привет. Изучаю работу биполярного транзистора, непонятны некоторые процессы в базе. Остановлюсь на том , что не понятно. ....В процессе диффузии через базу инжектированные неосновные носители рекомбинируют с основными носителями в базе. Для восполнения прорекомбинировавших основных носителей в базе через внешний контакт должно подойти такое же количество носителей. Таким образом, ток базы – это рекомбинационный ток.....

Вопрос номер 1. А если в базе не будут пополнять основные носители заряда в базе , будет ли дальше диффундировать ток эмиттера????

Вопрос номер 2. Получается что внешним резистором в цепи базы , мы контролируем (задаём) необходимое количество носителей заряда для восполнения носителей после рекомбинации (упираемся в 1ый вопрос) ???

Но если ответ на 1 вопрос будет - "да" , то тогда цепь прямо смещенного эмиттерного перехода будет не замкнута и по идеи протекать ток не будет , так????

Последний раз редактировалось Abraziv; 13.08.2012 в 16:09
Abraziv вне форума   Ответить с цитированием

Старый 13.08.2012, 16:03
Helpmaster
Member
 
Аватар для Helpmaster
 
Регистрация: 08.03.2016
Сообщений: 0

На форуме встречается много похожего, вот то, что схоже с вашим запросом

Базы данных на Delphi
NOD 32 2.7 новые базы сигнатур
Перенос базы MySQL

Старый 13.08.2012, 16:29   #2 (permalink)
yumar
Member
 
Регистрация: 22.07.2012
Сообщений: 392
Сказал(а) спасибо: 0
Поблагодарили 0 раз(а) в 0 сообщениях
Репутация: 186
По умолчанию

Цитата:
Сообщение от Abraziv Посмотреть сообщение
Вопрос номер 1. А если в базе не будут пополнять основные носители заряда в базе , будет ли дальше диффундировать ток эмиттера????

Вопрос номер 2. Получается что внешним резистором в цепи базы , мы контролируем (задаём) необходимое количество носителей заряда для восполнения носителей после рекомбинации (упираемся в 1ый вопрос) ???

Но если ответ на 1 вопрос будет - "да" , то тогда цепь прямо смещенного эмиттерного перехода будет не замкнута и по идеи протекать ток не будет , так????
1- Нет
2- Да
3- Нет, в прямо смещённом переходе протекает ток.
yumar вне форума   Ответить с цитированием
Старый 13.08.2012, 16:49   #3 (permalink)
Abraziv
Member
 
Регистрация: 28.07.2011
Сообщений: 275
Сказал(а) спасибо: 0
Поблагодарили 0 раз(а) в 0 сообщениях
Репутация: 193
По умолчанию

Извините а можете по подробнее ответить на первый вопрос ??? Или пнуть куда нибудь . Спасибо.
Abraziv вне форума   Ответить с цитированием
Старый 13.08.2012, 16:51   #4 (permalink)
СветLANa
Просто Светлана
 
Аватар для СветLANa
 
Регистрация: 01.04.2012
Сообщений: 5,469
Сказал(а) спасибо: 0
Поблагодарили 0 раз(а) в 0 сообщениях
Репутация: 31398
По умолчанию

Цитата:
Сообщение от Abraziv Посмотреть сообщение
...Или пнуть куда нибудь
Степаненко И.П. - Основы теории транзисторов и транзисторных схем (1977)
В Интернете легко находится.
СветLANa вне форума   Ответить с цитированием
Старый 13.08.2012, 16:57   #5 (permalink)
Abraziv
Member
 
Регистрация: 28.07.2011
Сообщений: 275
Сказал(а) спасибо: 0
Поблагодарили 0 раз(а) в 0 сообщениях
Репутация: 193
По умолчанию

То , что есть в интернете и книгах - это :

Процесс переноса инжектированных носителей через базу – диффузионный. Характерное расстояние, на которое неравновесные носители распространяются от области возмущения, – диффузионная длина Lp. Поэтому если
необходимо, чтобы инжектированные носители достигли коллекторного пе-
рехода, длина базы W должна быть меньше диффузионной длины Lp. Условие
W < Lp является необходимым для реализации транзисторного эффекта –
управления током во вторичной цепи через изменение тока в первичной цепи.
В процессе диффузии через базу инжектированные неосновные носители
рекомбинируют с основными носителями в базе. Для восполнения прорекомбинировавших основных носителей в базе через внешний контакт должно подойти такое же количество носителей. Таким образом, ток базы – это ре-

комбинационный ток.
Продиффундировавшие через базу без рекомбинации носители попадают
в электрическое поле обратно смещенного коллекторного p-n перехода и экс-
трагируются из базы в коллектор. Таким образом, в БТ реализуются четыре
физических процесса:
– инжекция из эмиттера в базу;
– диффузия через базу;
– рекомбинация в базе;
– экстракция из базы в коллектор.
Эти процессы для одного типа носителей

Интересуют именно подробнее , слишком мало.
Abraziv вне форума   Ответить с цитированием
Ads

Яндекс

Member
 
Регистрация: 31.10.2006
Сообщений: 40200
Записей в дневнике: 0
Сказал(а) спасибо: 0
Поблагодарили 0 раз(а) в 0 сообщениях
Репутация: 55070
Старый 13.08.2012, 17:04   #6 (permalink)
Abraziv
Member
 
Регистрация: 28.07.2011
Сообщений: 275
Сказал(а) спасибо: 0
Поблагодарили 0 раз(а) в 0 сообщениях
Репутация: 193
По умолчанию

Вот если это так легко найти в нете, то вам наверное не составит труда ответить почему без пополнения прорекомбенированных зарядов в базе не будет дальше протекать эмиттерный ток и соответственно ток базы.
Abraziv вне форума   Ответить с цитированием
Старый 13.08.2012, 19:02   #7 (permalink)
yumar
Member
 
Регистрация: 22.07.2012
Сообщений: 392
Сказал(а) спасибо: 0
Поблагодарили 0 раз(а) в 0 сообщениях
Репутация: 186
По умолчанию

Для понимания процесса предлагаю рассмотреть P-N переход.
В свободном состоянии основные носители из P и N областей устремляются (1) на
встречу друг другу. На границе областей происходит рекомбинация (2), эта область истощается. В ней начинают преобладать неосновные носители имеющиеся в любом полупроводнике, возникает "объёмный потенциал" - E, препятствующий
дальнейшему продвижению основных носителей. Для разных материалов от разный,
Германий около 0,2-0,3 V, кремний - 0,56 V. Для протекания тока через PN переход
в прямом направлении, нужно преодолеть его "объёмный потенциал".
В транзисторах база-эмиттерный PN переход, точнее база делается очень тонкой,
Носители попавшие из эмиттера частично рекомбинируют в базе, основная часть их
"подхватывается" полем коллектора и движется далее в коллектор.
Прекращение тока через база-эмиттерный переход означает что приложенный потенциал
ниже "объёмного потенциала".
yumar вне форума   Ответить с цитированием
Старый 13.08.2012, 19:06   #8 (permalink)
yumar
Member
 
Регистрация: 22.07.2012
Сообщений: 392
Сказал(а) спасибо: 0
Поблагодарили 0 раз(а) в 0 сообщениях
Репутация: 186
По умолчанию

Что то рисунок не подгружается.
yumar вне форума   Ответить с цитированием
Старый 14.08.2012, 01:16   #9 (permalink)
Abraziv
Member
 
Регистрация: 28.07.2011
Сообщений: 275
Сказал(а) спасибо: 0
Поблагодарили 0 раз(а) в 0 сообщениях
Репутация: 193
По умолчанию

Спасибо, но это всё понятно. Имеется введу , что допустим имеется npn транзистор , транзистор загнали в активный режим. Из эмиттера в базу происходит обильная инжекция неосновных носителей заряда , которые накапливаются вблизи эмиттерного перехода со стороны базы. У коллекторного перехода со стороны базы концентрация электронов близка к нулю , так как там действует электрическое поле, перебрасывающее электроны из базы в коллектор ( экстракция ) . Значит в базе имеется градиент концентрации ( диффузия) ,по средством которой электроны продвигаются в глубь базы и так как ширина базы меньше диффузионной длины, то не успев рекомбинировать они пролетают к коллекторному переходу и экстрагируют , более медленные электроны всё же рекомбинируют в базе и база становится более положительной , для восстановления электронейтральности, из внешнего источника приходят новые дырки. Вот это для меня не понятно, хотя сам написал об этом. Туплю похожу.
Abraziv вне форума   Ответить с цитированием
Старый 14.08.2012, 01:27   #10 (permalink)
Abraziv
Member
 
Регистрация: 28.07.2011
Сообщений: 275
Сказал(а) спасибо: 0
Поблагодарили 0 раз(а) в 0 сообщениях
Репутация: 193
По умолчанию

Цитата:
Сообщение от yumar Посмотреть сообщение
"объёмного потенциала".
"Объёмного заряда" наверное вы имели введу, потенциал больше к узлам подходит.
Abraziv вне форума   Ответить с цитированием
Ads

Яндекс

Member
 
Регистрация: 31.10.2006
Сообщений: 40200
Записей в дневнике: 0
Сказал(а) спасибо: 0
Поблагодарили 0 раз(а) в 0 сообщениях
Репутация: 55070
Ответ

Опции темы
Опции просмотра

Ваши права в разделе
Вы не можете создавать новые темы
Вы не можете отвечать в темах
Вы не можете прикреплять вложения
Вы не можете редактировать свои сообщения

BB коды Вкл.
Смайлы Вкл.
[IMG] код Выкл.
HTML код Выкл.
Trackbacks are Вкл.
Pingbacks are Вкл.
Refbacks are Выкл.




Часовой пояс GMT +4, время: 12:30.

Powered by vBulletin® Version 6.2.5.
Copyright ©2000 - 2014, Jelsoft Enterprises Ltd.