Электронейтральность базы
 

Всем привет. Изучаю работу биполярного транзистора, непонятны некоторые процессы в базе. Остановлюсь на том , что не понятно. ....В процессе диффузии через базу инжектированные неосновные носители рекомбинируют с основными носителями в базе. Для восполнения прорекомбинировавших основных носителей в базе через внешний контакт должно подойти такое же количество носителей. Таким образом, ток базы – это рекомбинационный ток.....

Вопрос номер 1. А если в базе не будут пополнять основные носители заряда в базе , будет ли дальше диффундировать ток эмиттера????

Вопрос номер 2. Получается что внешним резистором в цепи базы , мы контролируем (задаём) необходимое количество носителей заряда для восполнения носителей после рекомбинации (упираемся в 1ый вопрос) ???

Но если ответ на 1 вопрос будет - "да" , то тогда цепь прямо смещенного эмиттерного перехода будет не замкнута и по идеи протекать ток не будет , так????

1- Нет
2- Да
3- Нет, в прямо смещённом переходе протекает ток.

Извините а можете по подробнее ответить на первый вопрос ??? Или пнуть куда нибудь . Спасибо.

Степаненко И.П. - Основы теории транзисторов и транзисторных схем (1977)
В Интернете легко находится.

То , что есть в интернете и книгах - это :

Процесс переноса инжектированных носителей через базу – диффузионный. Характерное расстояние, на которое неравновесные носители распространяются от области возмущения, – диффузионная длина Lp. Поэтому если
необходимо, чтобы инжектированные носители достигли коллекторного пе-
рехода, длина базы W должна быть меньше диффузионной длины Lp. Условие
W < Lp является необходимым для реализации транзисторного эффекта –
управления током во вторичной цепи через изменение тока в первичной цепи.
В процессе диффузии через базу инжектированные неосновные носители
рекомбинируют с основными носителями в базе. Для восполнения прорекомбинировавших основных носителей в базе через внешний контакт должно подойти такое же количество носителей. Таким образом, ток базы – это ре-
комбинационный ток.
Продиффундировавшие через базу без рекомбинации носители попадают
в электрическое поле обратно смещенного коллекторного p-n перехода и экс-
трагируются из базы в коллектор. Таким образом, в БТ реализуются четыре
физических процесса:
– инжекция из эмиттера в базу;
– диффузия через базу;
– рекомбинация в базе;
– экстракция из базы в коллектор.
Эти процессы для одного типа носителей

Интересуют именно подробнее , слишком мало.

Вот если это так легко найти в нете, то вам наверное не составит труда ответить почему без пополнения прорекомбенированных зарядов в базе не будет дальше протекать эмиттерный ток и соответственно ток базы.

Для понимания процесса предлагаю рассмотреть P-N переход.
В свободном состоянии основные носители из P и N областей устремляются (1) на
встречу друг другу. На границе областей происходит рекомбинация (2), эта область истощается. В ней начинают преобладать неосновные носители имеющиеся в любом полупроводнике, возникает "объёмный потенциал" - E, препятствующий
дальнейшему продвижению основных носителей. Для разных материалов от разный,
Германий около 0,2-0,3 V, кремний - 0,56 V. Для протекания тока через PN переход
в прямом направлении, нужно преодолеть его "объёмный потенциал".
В транзисторах база-эмиттерный PN переход, точнее база делается очень тонкой,
Носители попавшие из эмиттера частично рекомбинируют в базе, основная часть их
"подхватывается" полем коллектора и движется далее в коллектор.
Прекращение тока через база-эмиттерный переход означает что приложенный потенциал
ниже "объёмного потенциала".

Что то рисунок не подгружается.

Спасибо, но это всё понятно. Имеется введу , что допустим имеется npn транзистор , транзистор загнали в активный режим. Из эмиттера в базу происходит обильная инжекция неосновных носителей заряда , которые накапливаются вблизи эмиттерного перехода со стороны базы. У коллекторного перехода со стороны базы концентрация электронов близка к нулю , так как там действует электрическое поле, перебрасывающее электроны из базы в коллектор ( экстракция ) . Значит в базе имеется градиент концентрации ( диффузия) ,по средством которой электроны продвигаются в глубь базы и так как ширина базы меньше диффузионной длины, то не успев рекомбинировать они пролетают к коллекторному переходу и экстрагируют , более медленные электроны всё же рекомбинируют в базе и база становится более положительной , для восстановления электронейтральности, из внешнего источника приходят новые дырки. Вот это для меня не понятно, хотя сам написал об этом. Туплю похожу.tehnobanka

"Объёмного заряда" наверное вы имели введу, потенциал больше к узлам подходит.