Технический форум
Вернуться   Технический форум > Общение по интересам > Новости технологий > Железо


Ответ
 
Опции темы Опции просмотра
Старый 21.10.2011, 22:41   #1 (permalink)
sezam
Member
 
Регистрация: 12.03.2008
Сообщений: 165
Сказал(а) спасибо: 0
Поблагодарили 0 раз(а) в 0 сообщениях
Репутация: 188
По умолчанию Intel начала серийное производство 22-нм процессоров Ivy Bridge

Компания Intel объявила о том, что массовое производство 22-нанометровых процессоров, известных под кодовым названием Ivy Bridge, было начато в третьем квартале. В ходе своего интервью генеральный директор компании Пол Отеллини (Paul Otellini) отметил, что переход на 22-нм технологический процесс возвещает наступление эры 3D-транзисторов, которые отплатят будущим поколениям приростом производительности и более низким энергопотреблением.

intel_3d_transistor_benefits.jpg

По оценке Intel, новая технология позволяет достичь на 37% большей производительности при более низком напряжении питания по сравнению с 32-нм планарными транзисторами. Это обеспечивает снижение потребление энергии вдвое при том же уровне производительности. К другим преимуществам транзисторов 3-D Tri-gate относятся улучшенные характеристики переключения и более высокий управляющий ток.

При этом разница в стоимости компонентов составляет всего 2-3%.

источник
sezam вне форума   Ответить с цитированием

Старый 21.10.2011, 22:41
Helpmaster
Member
 
Аватар для Helpmaster
 
Регистрация: 08.03.2016
Сообщений: 0

Эти темы очень схожи с вашей и возможно в какой то из них проблема уже решена

В сентябре Intel снизит цены на некоторые процессоры поколения Sandy Bridge
3D-Транзисторы или новое поколение процессоров от Intel
Intel: плюс Sandy Bridge и минус двадцать один 45 нм CPU
Восемь новых мобильных процессоров Intel
Intel быстро нарастит производство процессоров Sandy Bridge

Старый 22.10.2011, 06:52   #2 (permalink)
duc
Banned
 
Регистрация: 23.11.2010
Сообщений: 6,761
Сказал(а) спасибо: 18
Поблагодарили 27 раз(а) в 6 сообщениях
Репутация: 17514
По умолчанию

Цитата:
Сообщение от sezam Посмотреть сообщение
К другим преимуществам транзисторов 3-D Tri-gate относятся улучшенные характеристики переключения и более высокий управляющий ток.
Более высокий управляющий? Разве это преимущество? Может управляемый?
duc вне форума   Ответить с цитированием
Старый 22.10.2011, 09:50   #3 (permalink)
kashakru
Родом из СССР
 
Аватар для kashakru
 
Регистрация: 27.02.2009
Сообщений: 3,573
Сказал(а) спасибо: 0
Поблагодарили 2 раз(а) в 2 сообщениях
Репутация: 4398
По умолчанию

INTEL фореве!!!!!
kashakru вне форума   Ответить с цитированием
Старый 22.10.2011, 11:12   #4 (permalink)
duc
Banned
 
Регистрация: 23.11.2010
Сообщений: 6,761
Сказал(а) спасибо: 18
Поблагодарили 27 раз(а) в 6 сообщениях
Репутация: 17514
По умолчанию

20 лет назад инженеры IBM прославились на весь мир тем, что выложили из атомов ксенона логотип своей компании
duc вне форума   Ответить с цитированием
Старый 22.10.2011, 12:01   #5 (permalink)
sezam
Member
 
Регистрация: 12.03.2008
Сообщений: 165
Сказал(а) спасибо: 0
Поблагодарили 0 раз(а) в 0 сообщениях
Репутация: 188
По умолчанию

Цитата:
Сообщение от duc Посмотреть сообщение
Более высокий управляющий? Разве это преимущество? Может управляемый?
Intel 3D Tri-Gate — это новая версия транзистора, в которой на смену традиционному плоскому слою затвора пришла тончайшая кремниевая пластина, устанавливаемая перпендикулярно. Прохождение тока теперь контролирует трехмерный затвор, который регулирует состояние транзистора в нескольких плоскостях — как сверху, так и с боковых сторон. В прежней версии транзистора использовался затвор, регулирующий состояние только в одной плоскости — сверху. Применение дополнительных затворов позволяет обеспечить максимальную величину тока во включенном состоянии, а в выключенном — максимально приблизить ее к нулю. В результате этого сокращается потребление энергии и ускоряется переключение транзисторов.

и немножко теории:
05-1.gif

как видим, транзистор имеет 3D-структуру.

Производительность короткого канала транзистора определяется отношением фактического значения LG к фактическому значению WSi. Масштабирование WSi обеспечивает дополнительное улучшение электростатики транзистора совместно с масштабированием LG, а также с масштабированием перехода исток/сток и диэлектрика затвора. Общий групповой управляющий ток транзистора равен сумме управляющих токов транзистора с верхним затвором и двух транзисторов с боковыми затворами, или 2HSi +WSi. Таким образом, чем выше транзистор, тем больше общий групповой управляющий ток.
Транзисторы Intel 3-D Tri-Gate позволяют создавать процессоры, работающие на меньших значениях напряжения и с меньшими токами утечки, благодаря чему достигаются беспрецедентный уровень энергоэффективности и значительный прирост скорости работы в сравнении с существующими чипами. Новые возможности расширяют поле для работы конструкторов, помогая им создавать идеальные решения для различных сфер.
Ну это в теории, а как будет на практике я надеюсь мы с вами, друзья, увидим уже в ближайшае время )))
sezam вне форума   Ответить с цитированием
Ads

Яндекс

Member
 
Регистрация: 31.10.2006
Сообщений: 40200
Записей в дневнике: 0
Сказал(а) спасибо: 0
Поблагодарили 0 раз(а) в 0 сообщениях
Репутация: 55070
Старый 22.10.2011, 12:41   #6 (permalink)
duc
Banned
 
Регистрация: 23.11.2010
Сообщений: 6,761
Сказал(а) спасибо: 18
Поблагодарили 27 раз(а) в 6 сообщениях
Репутация: 17514
По умолчанию

Цитата:
За счёт того, что полевые транзисторы управляются полем (величиной напряжения приложенного к затвору), а не током, протекающим через базу (как в биполярных транзисторах), полевые транзисторы потребляют значительно меньше энергии
Это не я, это википедия... Возможно "Трудности перевода"
duc вне форума   Ответить с цитированием
Старый 22.10.2011, 13:19   #7 (permalink)
Phrancisco
Системника - строитель!
 
Аватар для Phrancisco
 
Регистрация: 04.10.2009
Сообщений: 2,542
Записей в дневнике: 8
Сказал(а) спасибо: 7
Поблагодарили 2 раз(а) в 2 сообщениях
Репутация: 5008
По умолчанию

Народ еще Pentium 4 и Duron пользует а у них уже 22 нанометра!Блин,только собрался Sandy Bridge покупать
Phrancisco вне форума   Ответить с цитированием
Старый 22.10.2011, 13:30   #8 (permalink)
sezam
Member
 
Регистрация: 12.03.2008
Сообщений: 165
Сказал(а) спасибо: 0
Поблагодарили 0 раз(а) в 0 сообщениях
Репутация: 188
По умолчанию

Уважаемый duc в отношении полевых транзисторов ваши утверждения совершенно верны! )) но биполярные транзисторы управляются как раз током. Биполярные транзисторы представляют собой токоуправляемые регуляторы тока. Другими словами, они ограничивают количество проходящего через них тока в соответствии с меньшим управляющим током(относительно тока коллектора), тобеш чем меньше управляющий ток, или ток базы, тем тем меньше ток коллектора, и следовательно наоборот, чем выше ток базы, тем больше ток коллектора. Транзистор работает как регулятор тока, в котором посредством изменения малого тока базы, можно управлять значительно большим током коллектора. Количество тока, протекающего через коллектор определяется в первую очередь током, движущемся между базой и эмиттером(управляющим). Я так понимаю имелось в виду именно это, когду упоминалось о большем управляющем токе. Но на все 100% я тоже не уверен так как не могу точно сказать какого вида транзисторы применяются при изготвлении кристалла процессора)))
sezam вне форума   Ответить с цитированием
Старый 22.10.2011, 13:35   #9 (permalink)
duc
Banned
 
Регистрация: 23.11.2010
Сообщений: 6,761
Сказал(а) спасибо: 18
Поблагодарили 27 раз(а) в 6 сообщениях
Репутация: 17514
По умолчанию

Цитата:
Сообщение от sezam Посмотреть сообщение
В прежней версии транзистора использовался затвор, регулирующий состояние только в одной плоскости — сверху. Применение дополнительных затворов позволяет обеспечить максимальную величину тока во включенном состоянии, а в выключенном — максимально приблизить ее к нулю. В результате этого сокращается потребление энергии и ускоряется переключение транзисторов.
Это не мои слова, а раз затвор - о каком биполярном транзисторе может идти речь?
duc вне форума   Ответить с цитированием
Старый 22.10.2011, 16:15   #10 (permalink)
sezam
Member
 
Регистрация: 12.03.2008
Сообщений: 165
Сказал(а) спасибо: 0
Поблагодарили 0 раз(а) в 0 сообщениях
Репутация: 188
По умолчанию

IGBT транзистор(биполярный транзистор с изолированным затвором) -- Транзисторы, выполненные по специальной технологии, позволяющей сочетать все преимущества полевых и биполярных транзисторов. Характеризуются малой требуемой мощностью управляющего сигнала и возможностью коммутировать большие токи. -- Но это так, к слову.
Судя по всему речь опять таки идет о неком гибридном транзисторе, иначе как объяснить наличие управляющего тока, тем более что об этом говорят несколько источников. Вот часть статьи
Цитата:
Для решения проблемы утечки транзисторов в закрытом состоянии в 2002 году корпорация Intel разработала первый в мире транзистор CMOS tri-gate, в котором применялась новаторская трехмерная конструкция затвора, позволяющая повысить управляющий ток и снизить ток утечки транзистора в закрытом состоянии. С тех пор компания Intel добилась улучшения эксплуатационных характеристик транзисторов и эффективности использования электроэнергии путем объединения конструкции tri-gate с другими кремниевыми производственными технологиями и инновационными материалами, включая напряженный кремний, диэлектрики затвора high-k, металлические электроды затвора и эпитаксиальные рельефные истоки/стоки.В результате был создан непланарный транзистор, который обеспечивает увеличение управляющего тока на 30% для транзисторов NMOS и на 60% для транзисторов PMOS по сравнению с оптимизированными передовыми 65-нм планарными транзисторами при том же уровне утечки в закрытом состоянии. Этот результат показывает, что преимущества различных полупроводниковых инноваций дополняют друг друга и их можно объединять, чтобы расширять и продолжать тенденции масштабирования и увеличения производительности транзисторов CMOS.
статья польностью
Так что вряд-ли можно списать "управляющий ток" на опечатку или неправильный перевод.
sezam вне форума   Ответить с цитированием
Ads

Яндекс

Member
 
Регистрация: 31.10.2006
Сообщений: 40200
Записей в дневнике: 0
Сказал(а) спасибо: 0
Поблагодарили 0 раз(а) в 0 сообщениях
Репутация: 55070
Ответ

Опции темы
Опции просмотра

Ваши права в разделе
Вы не можете создавать новые темы
Вы не можете отвечать в темах
Вы не можете прикреплять вложения
Вы не можете редактировать свои сообщения

BB коды Вкл.
Смайлы Вкл.
[IMG] код Выкл.
HTML код Выкл.
Trackbacks are Вкл.
Pingbacks are Вкл.
Refbacks are Выкл.




Часовой пояс GMT +4, время: 05:12.

Powered by vBulletin® Version 6.2.5.
Copyright ©2000 - 2014, Jelsoft Enterprises Ltd.