IGBT транзистор(биполярный транзистор с изолированным затвором) -- Транзисторы, выполненные по специальной технологии, позволяющей сочетать все преимущества полевых и биполярных транзисторов. Характеризуются малой требуемой мощностью управляющего сигнала и возможностью коммутировать большие токи. -- Но это так, к слову.
Судя по всему речь опять таки идет о неком гибридном транзисторе, иначе как объяснить наличие управляющего тока, тем более что об этом говорят несколько источников. Вот часть статьи
Цитата:
|
Для решения проблемы утечки транзисторов в закрытом состоянии в 2002 году корпорация Intel разработала первый в мире транзистор CMOS tri-gate, в котором применялась новаторская трехмерная конструкция затвора, позволяющая повысить управляющий ток и снизить ток утечки транзистора в закрытом состоянии. С тех пор компания Intel добилась улучшения эксплуатационных характеристик транзисторов и эффективности использования электроэнергии путем объединения конструкции tri-gate с другими кремниевыми производственными технологиями и инновационными материалами, включая напряженный кремний, диэлектрики затвора high-k, металлические электроды затвора и эпитаксиальные рельефные истоки/стоки.В результате был создан непланарный транзистор, который обеспечивает увеличение управляющего тока на 30% для транзисторов NMOS и на 60% для транзисторов PMOS по сравнению с оптимизированными передовыми 65-нм планарными транзисторами при том же уровне утечки в закрытом состоянии. Этот результат показывает, что преимущества различных полупроводниковых инноваций дополняют друг друга и их можно объединять, чтобы расширять и продолжать тенденции масштабирования и увеличения производительности транзисторов CMOS.
|
статья польностью
Так что вряд-ли можно списать "управляющий ток" на опечатку или неправильный перевод.