derba

А что за термин КМК модель?
Микросхемы, там будут отклонения, хотя и незначительные, а транзисторы в модели практически один в один работают.

finn32

КМК- как мне кажется.
Результат моделирования по искажениям слишком оптимистичный.
Модели дискретных элементов зачастую далеки от реальности, особенно полевых транзисторов.

derba

Вас обманули, полевики имеют более точную математическую модель, по сравнению с биполярниками. Хотя и биполярники описываются сейчас довольно точно.
А неточное описание, да, это было, но давно, в прошлом тысячелетии были большие приближения, но сейчас точность вполне достаточна для практических расчетов, и при подстановке реальных значений дают точный результат. Хотя, это еще зависит от симулятора.

finn32

Если кого и обманули, то точно не меня. Три разные модели в трех разных симуляторах показывали разные результаты, вплоть до ограниченной работоспособности модели. А в железе все оказалось прозаичнее. И все это как раз из-за муделей половиков BS170 BS107 2N7000.
Я с Вами не спорю, а констатирую факт, ежели что. Убеждать меня в чем-то не требуется.

derba

Вот пример, я его приводил, точность симулирования БП.
http://www.tehnari.ru/2554858-post37.html



Еще зависит от симулятора умения работать с ним.

Я сделал индукционный нагреватель, расчитал мощность на образце, по модели получилось 1460ватт, в реале и получилось. порядка 1,5 кватт. Правда. модель писалась на основании измерений генератора ударного возбуждения. Рсчитал эквивалент нагрузки в режиме ХХ, в рабочем режиме. Только измерения проводились неделю. (подбирал размеры индуктора с шинки, затем уже сделал с трубки).

По тому же усилителю, если в модели получим, к примеру КНИ равный 0.0155%, в реале окажется 0.02% то вполне нормальный результат. 30% , это разброс, который часто возникает и в железе. А хорошие симуляторы дают сходимость довольно высокую, часто погрешность ниже 30%.

derba

Вот, только благодаря симулятору я осуществил реакцию, для которой надо более 1300оС (видно, что реактор чуть оплавился. а температура плавления стали ок 1500оС). И индукционный нагреватель сделал с первого раза, благодаря симулятору. Ни один ключ не пострадал. Белое, это пористая окись алюминия. теплоизолятор на уровне пенопласта. И могу заверить, симулятор считает с точностью, вполне достаточной для практического применения.

Поворяюсь, без симулятора я бы просто не справился. Схема гораздо сложнее, чем сварочный аппарат. Только схема АПЧиФ, для того, что бы держать резонанс с большой точностью делает устройство не простым.

Миниатюры

       

finn32

С индукторами дел не имел, сказать ничего не могу. Полезная мощность в нагрузке будет зависеть от КПД, а он от точности расчета контура, все что я знаю. Тут симулятор, конечно, полезен, хотя подгонка должна осуществляться вручную. В случае с усилителями мощность смотреть в симуляторе не имеет смысла.
Искажения, тут мы понимаем, что симулятор идеализирует условия, опускает паразитные параметры соединительных цепей, если их не задать вручную.
В железе один проводник, проложенные не так, может увеличить искажения на порядок. Это мы тоже понимаем.
Я Вам говорю не об этом, а о конкретных моделях дискретных элементов. Зачастую они идеализированы или наоборот, слишком далеки от реальности. В итоге схема, которая без проблем работает в железе, в симуляторе работает криво и с другими характеристиками. Конкретно модель 2N7000 при моделировании в мультисим давала ступеньку в выходном сигнале усилителя при токе ВК меньше 200 мА. В реальности такого и в помине не было.Скорости нарастания в симуляторе и железе, АЧХ, характер ПХ, ограничение, все это зависит от моделей транзисторов, а они зачастую неправдоподобны. Что еще обсуждать-то? Если Вы имеете ввиду мощные силовые ключи и точность их моделей в симуляторе, то тут у меня опыта нет. Я говорил про малосигнальные феты/ джифеты.
Я Вам про модели, Вы мне про БП

finn32

Для понимания: в симуляторе можно и нужно считать, я от этого никого не отговариваю, просто нужно понимать, что железо внесет свои коррективы. Вот и все.

derba

Моделировал и усилитель, результат хороший, сошелся по параметрам. Согласен, что неудачный монтаж может внести свои коррективы. У меня за все время только одна модель не пошла согласно симулятору, да и то, по моей вине, не учел помеху по питанию.

Насчет моделей дискретных элементов, в частности транзисторов, в симуляторе LTSpise IV сходимость с железом практически полная.
А паразитные параметры можно задать и в ручную.
Есть профессиональные симуляторы, которые сами рисуют платы, обсчитывают емкости и индуктивность монтажа, и прочее. Правда стоят... но они предназначены для промышленности, позволяют сократить сроки проектирования в разы.

Кстати, LTSpise, это бесплатный симулятор, довольно мощный и точный, в то же время простой для освоения, и модели элементов и команды совместимы с некоторыми профессиональными симуляторами (по видимому так и задумано, обучить программировать на таком симуляторе, а когда появится выбор, то клиент выберет нужный проф. симулятор, с каким типом он уже работал).

М.Васильев

Лишь с помощью симулятора я сумел найти алгоритм использования кремниевых транзисторов в токовом шунте Алисона вместо германиевых