telcomp

Хочу купить ещё оперативки.. подскажите какую память покупать? Что такое тайминги памяти? объясните пожалуйста..
по тестам Everest на моём ноуте стоит:

[ DIMM2: Apacer Tech. (512 Мб DDR2-667 DDR2 SDRAM) ]

Свойства модуля памяти:
Имя модуля Apacer Tech.
Серийный номер Нет
Размер модуля 512 Мб (1 rank, 4 banks)
Тип модуля Unbuffered
Тип памяти DDR2 SDRAM
Скорость памяти DDR2-667 (333 МГц)
Ширина модуля 64 bit
Вольтаж модуля SSTL 1.8
Метод обнаружения ошибок Нет
Частота регенерации Сокращено (7.8 us), Self-Refresh

Тайминги памяти:
@ 333 МГц 5-5-5-15 (CL-RCD-RP-RAS)
@ 266 МГц 4-4-4-12 (CL-RCD-RP-RAS)
@ 200 МГц 3-3-3-9 (CL-RCD-RP-RAS)

Hacker

Другое название этого термина — латентность, CAS Latency (CAS Latency = CL), то есть временная задержка сигнала. Обычно эти временные задержки так и называют — тайминги и для краткости записывают в виде: «2-2-2» (например). Это записанные по порядку следующие параметры: CAS Latency, RAS to CAS Delay и RAS Precharge Time. Они могут принимать значения от 2 (линейка модулей памяти Kingston HyperX , OCZ) до 4. От них в значительной степени зависит пропускная способность участка «процессор-память» и, как следствие, быстродействие всей системы.

Пример из практики: система с памятью на частоте 100 МГц с таймингами 2-2-2 обладает примерно такой же производительностью, как та же система на частоте 112 МГц, но с задержками 3-3-3. Другими словами, в зависимости от задержек, разница в производительности может достигать 10 %.

Мера таймингов — такт. Таким образом, каждая цифра в формуле 2-2-2 означает задержку сигнала для обработки, измеряемая в тактах процессора. Если указывается только одна цифра (например, CL2), то подразумевается только первый параметр, то есть CAS Latency. Остальные при этом не обязательно равны ему! Практика показывает, что обычно прочие параметры выше, а значит и память хуже.

Иногда формула таймингов для памяти может состоять из четырёх цифр, например 2-2-2-6. Последний параметр называется «DRAM Cycle Time Tras/Trc» и характеризует быстродействие всей микросхемы памяти. Он определяет отношение интервала, в течение которого строка открыта для переноса данных (tRAS — RAS# Active time), к периоду, в течение которого завершается полный цикл открытия и обновления ряда (tRC — Row Cycle time), также называемого циклом банка (Bank Cycle Time).

Источник — «http://ru.wikipedia.org/wiki/%D0%A2%...D%D0%B3%D0%B8»

Smith

Hacker
взял и загрузил человека.

telcomp
512 Мб SODIMM DDR2-667 5-5-5-15 возьми от APACER`a, если нет то - kingstone, ocz, patriot и прочих известных производителей с ними проблем быть не должно.

telcomp

а что если я возьму 1Gb или 2Gb одной планкой и воткну во второй слот?
И ещё вариант: если возьму 2Gb но по скороснее и уберу старую планку производительность увеличится(без старой планки)?

Smith

брать модули лучше парами 1GB=2x512, 2GB=2x1024 для активации двухканальности. более скоростной модуль бурет работать на частоте и таймингах самого меденного установленного модуля. в вашем варианте либо гиг докупкой планки в 512, либо выкинуть старую и взять 2х1024. можете конечно купить гиговую и поставить в пару к 512, работать будет, но двухканальности не будет.

telcomp

тогда ещё вопрос что такое двухканальность?

Smith

это когда контроллер памяти работает с 2мя планками памяти одновременно.

telcomp

а как тогда он будет работать если 512 + 1gb ? :(

Smith

как 1 планка в 1.5гига :)

telcomp

понятно :) спасибо!