05.01.2019, 00:28 | #143 (permalink) |
Member
Регистрация: 05.12.2013
Адрес: Опорный край державы
Сообщений: 2,589
Записей в дневнике: 4
Сказал(а) спасибо: 0
Поблагодарили 12 раз(а) в 3 сообщениях
Репутация: 11142
|
Вкратце:
Параллельное включение нескольких транзисторов с разбросом Uбэ и отдельными эмиттерными резисторами эквивалентно использованию транзистора бОльшим тепловым потенциалом. Соответственно оптимальное падение напряжения на эмиттерных резисторах возрастает (увеличивается глубина ОС), а его критичность снижается. Разброс напряжений база-эмиттер выходных транзисторов обеспечивает плавное переключение плеч. Конструктивно, включение параллельных транзисторов уменьшает индуктивность эмиттерных цепей. Ну и конечно облегченный режим работы каждого из транзисторов. Да и, чрезмерный запас по Uкэ существенно ухудшает другие параметры транзистора. |
05.01.2019, 00:34 | #144 (permalink) | |
Member
Регистрация: 04.01.2019
Адрес: UA
Сообщений: 51
Сказал(а) спасибо: 1
Поблагодарили 0 раз(а) в 0 сообщениях
Репутация: 10
|
Цитата:
|
|
05.01.2019, 00:37 | #145 (permalink) |
Member
Регистрация: 05.12.2013
Адрес: Опорный край державы
Сообщений: 2,589
Записей в дневнике: 4
Сказал(а) спасибо: 0
Поблагодарили 12 раз(а) в 3 сообщениях
Репутация: 11142
|
Поэтому я и говорю - соберите правильно всю конструкцию в целом, это даст бОльший результат, нежели доработки без измерений.
|
Ads | |
Member
Регистрация: 31.10.2006
Сообщений: 40200
Записей в дневнике: 0
Сказал(а) спасибо: 0
Поблагодарили 0 раз(а) в 0 сообщениях
Репутация: 55070
|
05.01.2019, 01:51 | #150 (permalink) |
Banned
Регистрация: 27.10.2016
Адрес: Порт-оф-Спейн
Сообщений: 1,777
Сказал(а) спасибо: 3
Поблагодарили 10 раз(а) в 3 сообщениях
Репутация: 5837
|
Все мы учимся на своём опыте.
|
Ads | |
Member
Регистрация: 31.10.2006
Сообщений: 40200
Записей в дневнике: 0
Сказал(а) спасибо: 0
Поблагодарили 0 раз(а) в 0 сообщениях
Репутация: 55070
|
|
|