Элементы Rб и диод VD образуют обычный параметрический стаби-
лизатор, нагрузкой которого является база транзистора VT. Транзистор в
рассматриваемой схеме является усилителем тока нагрузки Iэ ≈ β·Iб, где
β − коэффициент передачи тока транзистора. Учитывая, что падение на-
пряжения на переходе база–эмиттер величина практически постоянная и
относительно небольшая (до 0,5 В для германиевых и до 1,0 В для крем-
ниевых транзисторов), можно считать, что напряжение на нагрузке при-
мерно равно напряжению стабилизации опорного диода VD (рис.2.33.):
Uн=Uст−Uбэ≈Uст.
Тогда получается всё, что написано в книге Ефимова по источникам питания-ЛОЖЬ?