Схема испытаний и измерений, с учетом вышеизложенного:
1. Баланс напряжений в коллекторной цепи.
Epwr = Iled * R1 + Uled + Uce_sat;
Отсюда R1 = (Epwr - Uled - Uce_sat) / Iled = (5 - 2 - 0.15) / 0.01 = 290 Ом.
Выбираем ближайшее стандартное значение по ряду Е24 R1 = 300 Ом.
2. Баланс напряжений в базовой цепи.
Epwr = Ib * Rb + Ube_sat;
Базовый ток выберем по справочнику равным Ibe_sat = 1 мА, при этом, напряжение насыщения база-эмиттер Ube_sat = 1 В.
Отсюда Rb = (Epwr - Ube_sat) / Ib = (5 - 1) / 0.001 = 4 кОм.
Выбираем ближайшее стандартное значение по ряду Е24 Rb = 3.9 kОм.
3. Транзистор 2N5551, h21e = 80
Обозначения:
Epwr - напряжение питания;
Iled - желаемый ток через светодиод;
Uled - напряжение на светодиоде при токе Iled;
Uce_sat - напряжение насыщения коллектор-эмиттер при токе Iled;
R1 - сопротивление в коллекторе для ограничения тока светодиода до Iled;
Ib - ток базы транзистора;
Rb - сопротивление в базе транзистора;
Ube_sat - напряжение насыщения база-эмиттер при токе Ib;
Выполняем моделирование, изменяя напряжение питания от 0 до 5 В.
(обсуждение результатов - позже)
