Если сравнивать устройства на 80 и на 200 Вт, то в первом случае габаритная мощность транса меньше, число витков первичной обмотки 100-120 (Ф ~0,3 мм). Во вторичке-12 витков (диаметр провода такой-же но 10 жил скручены в косу). В первом устройстве ёмкости по 0,1 мкФ в другом 0,47 мкФ. Из этого следует что Амплитуда импульса тока в устройстве на 40-80 Вт в 2-3 раза меньше чем на 200 Вт. Следовательно если я применяю 1 транзистор вместо 2-ух мне ещё нужно уменьшить и ёмкость конденсаторов с 0,47 скажем , до 0,22 мкФ. Я верно мыслю? Количество витков первичной обмотки в этом случае нужно увеличивать, а их сечение можно снизить?