Цитата:
Сообщение от Николай_С
Да кто это Вам такое сказал?
Судя по данным из Вики, ПЗУ может быть даже EEPROM с электрическим стиранием, хотя нам в институте обращали внимание, что это категорически невозможно.
Просто определения со временем уточняются.
|
И где вы прочитали, что в ПЗУ используются регистры?
Любая ЕЕPROM и флеш по своей сути являются модификацией ПЗУ с окошком для УФ. И состоит из огромной кучи полевых транзисторов с плавающим затвором. Куча этих транзисторов определяет объем ПЗУ.
Один транзистор с плавающим затвором хранит один бит. И ни каких регистров в массиве. Одни полевые транзисторы.
Просто раньше , что бы записать бит, нужно было подать большое напряжение на изолированый затвор, пробить изоляцию и зарядить изолированый затвор полевого транзистора. Тем самым транзистор оставался в состоянии "Открыт". Что бы убрать заряд с изолированного затвора, приходилось светить жестким УФ, возникал фототок и заряд стекал с изолированного затвора.
Теперь, с развитием технологий, процесс стекания зарядов с изолированных затворов получают электрическим путем, прикладывая "нужные напряжения в нужном месте". Так работают современные флеш и ЕЕРROM ПЗУ.
Но, ни о каких регистрах в которых хранятся биты информации речи не идет. Так что вы не правы. ПЗУ как была комбинаторной логикой, так и осталась.