Цитата:
|
Такова се ля ви, логики нет нигде. Есть традиции и привыки, и стандарт.
|
Владимир (
debra), ну не знаю... Я иного мнения. Возможно, Вы её просто не нашли потому что не там ищите или она неочевидна...
Взять, например, это высказывание:
Цитата:
|
...конденсатор зарядился до 10 атомов на правой обкладке допустим это +5 вольт, соответственно они притянут на левую обкладку 10 электронов это -5 вольт
|
Только не "атомов", а "дырок". Мы говорим об электронно-дырочной проводимости. Дыркой будем считать вакансию на орбите атома, которую должен занять электрон. Без этого электрона атом имеет условно положительный потенциал. Разница в том, что электрический ток не перемещает атомы (речь о твёрдых материалах), а вот дырки могут перемещаться, "перепрыгивая" от атома к атому.
Так вот, как уже тут было верно замечено, электрическое напряжение измеряется между двумя точками. Одна из них - интересующая нас точка на схеме, а как выбрать вторую? Вторая точка должна удовлетворять ряду условий:
- она должна иметь общий для всей схемы потенциал;
- она быть электрически связана с электростатическим и электромагнитным экраном (если он конструктивно предусмотрен) и проводящим корпусом прибора (шасси).
- желательно чтобы её выбор имел логическое обоснование и упрощал понимание работы схемы.
-иные требования, предъявляемые схемотехником и/или конструктором.
Из всего вышеперечисленного понятно, что это может быть абсолютно любая точка на схеме, удовлетворяющая вышеописанным критериям. Однако, передпочтительно выбирать одну из шин питания. Почему?
Да потому что:
- шины питания связаны между собой по переменному току, что с точки зрения радиосигнала абсолютно идентично.
- одина из шин питания, как правило, заземлена, стало быть, имеет общий потенциал для всей конструкции (первые два обязательных условия выбора).
- конструктивное исполнение многих элементов схемы предполагает непосредственную гальваническую связь с шиной питания.
Теперь нужно определиться какую именно шину выбрать, ведь их две и более. Тут уже начинает влиять технология изготовления наиболее теплочувствительных элементов схемы - полупроводниковых приборов. Если раньше повсюду использовались полупроводники на основе Германия, то чисто технологически было проще взять за основу полупроводник p-типа в качестве коллектора (а именно на нем рассеивается основная мощность) и формировать на нем базу и эмиттер. А т.к. бОльшая часть полупроводников соединялась с положительной шиной, её и брали за основу. Теперь, когда в основном используется Кремний, проще за основу взять кристалл с проводимостью n-типа. Т.о. в схеме большинство диодных вентилей и эмиттеров подключены к общей точке, связанной с минусовой питающей шиной. Именно поютому в ГОСТе появилось понятие "корпус" как единый общий проводник для измерения разности потенциалов (напряжений).
Ну как? Теперь всё логично?
Тота!