Термопара находится внутри самого жала Т12 и конструктивно включена последовательно с нагревательным элементом. Da2.1 вообще нихрена не делает, у меня не было одноканальной микросхемы с однополярным питанием, вот и поставил двухканальную, а один канал, чтоб не возбуждал микросхему, так и подключил.

Эт ЧО? Меня на "вшивость" проверяете?:tehnari_ru_038:

Нет, я подумал, что Da2.1 возможно искусственная средняя точка. Я часто так делаю.
У меня паяльная станция Lukey 852D+FAN, там термопара стоит в параллель. Вот кусочек схемы, где паяльник. При последовательном соединении ИМХО питание, что идет на спираль паяльника будет забивать термопару, ведь термопара дает 20-30 милливольт всего.
У меня микросхемы TL081 и TL061. Они заменяют LM358, а наоборот не всегда. У TL081(061) т.к на входе полевики, то получается оч большое входное сопротивление (10 в 12 степени ом по даташиту). И есть схемы, что на биполярных транзисторах не работает. TL061 похожа, но медленнее,зато потребление тока 0.3 ма, без учета нагрузки .

"Опрос" напряжения на термопаре происходит в промежутке между импульсами на выходе схемы. И этого вполне достаточно для достоверности информации о температуре жала.

Тоже пытался сделать на TL-ках, не сработало. Съём информации идёт с входного делителя Da2.2, там доли вольта, а средняя точка даёт 12 Вольт, вот и несостыковка. Как я писал, делал из того, что было под рукой. Вот и поставил эту микросхему.

Я посмотрел LM358, оч плохая микросхема, скорость нарастания сигнала всего 0.3в на микросек. У TL081 10-15в на микросек, реально 13-14, я мерял. И у TL081 нормированные шумы, т.е. это малошумящая микросхема. И стоимость у TL081 не велика. И я редко использую 2 микросхемы в одном корпусе.
Только одно хорошо у LM358, питание от 3 в, у TL081 иногда при 7в уже микросхема не работает. Был такой случай.

Сейчас точно не помню, но частота ШИМ у этой схемы не большая и параметров LM-ки более чем достаточна. Завтра частоту померяю и напишу.

Да какая ни была частота переключения, во время переключения идет воздействие на точку, т.е. идет сильный локальный перегрев. Одно дело, если перегрев идет 100 нсек, у Вас же переключение идет порядка 15000нСек (15 мкСек), или в 150 раз больше, т.е. рассеивается ударно в маленькой локальной точке в 150 раз больше энергии.
Что это так, можно посчитать: скорость нарастания 0,3в на микросек, напряжение, когда идет переключение, изменяется напряжения на 4-5в, это нужно время с такой скоростью нарастания -15мкСек. А это, все равно, что лить в холодный стакан кипяток. Или мы плеснем 1 г кипятка, и стакан останется цел, (мало энергии) или 150 г кипятка, то разогрев будет сильным, неравномерным, и приведет к трещинам. А кристалл так же покрывается микротрещинами, этот процесс называют деградацией кристалла. Т.е. при медленном переключении резко возрастает процесс деградации кристалла.

Мне пришло уведомление по сему поводу, объясню подробнее.

Что бы понять, что именно так оно и есть, надо знать работу полевика, рассмотрим момент выключения. И такой эффект происходит у полевиков, у биполярных транзистор он меньше.
Есть N проводящий слой слой. у которого проводимость хуже, чем у графита, но площадь поперечного сечения велика, оттуда и низкое сопротивление канала. Одно время даже считали, что большую мощность на полевике получить не удастся, но удалось.
При подаче на затвор более отрицательного напряжения этот проводящий слой уменьшается, за счет электрического поля электроны убегают, остаются дырки. Идет инверсия проводимости (это технический термин), следовательно проводимость канала уменьшилась. А при определенном напряжении проводящий слой уменьшается до минимума (на грани напряжение отсечки), но толщина будет разная, в одном месте толщина проводящего слоя 100 микрон, в другом всего 1 микрон. т.к. электрическое поле не равномерно. И через маленькую область одет огромный ток (для этой области), и идет в том месте разогрев, разогрев в маленькой, локальной области. теплопередача, она же не бесконечная, происходит температурное напряжение, а кремний оч хрупкий. Происходит образование микротрещин, которые , конечно затягиваются, но оставляют погрешности в кристаллической решетке (технический термин- растут дислокации).
Есть определенная концентрация таких погрешностей (дислокаций), выше которой транзистор вообще перестает работать. Вот так идет деградация, повторяюсь, такой процесс характерен именно для полевиков. Посему надо стремиться к быстрому переключению, вне зависимости от частоты. Для биполярника , это не столь критично.

И есть маломощные полевые транзисторы с изолируемым затвором, у которых подложка не соединена с истоком. Такой вывод так же управляет транзистором, это получается транзистор с PN переходом. Я даже видел схему, смеситель для приемника, на затвор идет радио сигнал, на подложку сигнал с гетеродина.