Расчет параметров транзистора и усилительного каскада в режиме малого сигнала
 

Всем привет)) Ребят, прошу, помогите, пожалуйста, мне нужно доказать по схемам, почему коэффициент усиления по напряжению в схеме транзистора с общей базой и с общим эмиттером почти одинаковые tehno010

А кому нужно? Кому нужно доказать?

Кто Вас такое сказал? Разные режимы транзисторов, соотв и , разные к усиления схем. Вот, в симуляторе, одинаковые схемы, а разный к усиления, в 3 раза разницу даже примерно одинаковой назвать трудно.. Ну, примерно одного порядка, и то трудно назвать.
V2- один и тот же сигнал поступает на входы, с ОЭ схема оказалась больше усиливает, стоит поменять режимы, и можно добиться обратного. Нет, это утверждение , что принципиально не верное.

Focus 016, преподаватель дал такое задание (в результате расчётов как раз так и вышло, что значения коэффициентов почти равны)

derba, я по исходным данным посчитала и получилось, что коэффициент усиления по напряжению значительно больше единицы и почти одинаковый для схем ОЭ и ОБ.

Я не считал, я пользуюсь симулятором, вот две схемы, отличаются только R1 и R3, сопротивления в цепи эмиттера. Различаи в 2 раза. А сигналы на выходе различаются всего в 1,33 раза. Тут и изменение к усиления транзистора от тока, и другие параметры. Симулятор у меня LTSpice один из точных, практически полностью повторяет железо.

Тема о чём ? в режиме малого сигнала т е на пороге открытия транзистора ...

Малый сигнал, это не режим малых токов. У меня сигнал на входе 1 ма.

Сергей Сергеич, вычисление динамических параметров усилительных каскадов, собранных на маломощном транзисторе, который включается по одной из схем: ОБ, ОЭ и ОК.

derba, вот небольшой фрагмент из методички, тут коэффициенты равны