Насколько я понимаю, резистор, включенный между источником питания и коллектором транзистора нужен на 10 ком для создания высокого уровня, резистор между анодами диодов и базой транзистора по логике от 100 ом до 1 ком, а резистор между анодами диодов и землей тоже на 10 ком. Я прав?