Схема N2
В ней уже присутствует транзистор который уже берёт на себя роль силового элемента и разгружает по току внутренний транзистор микросхемы. Резистор R4 задаёт порог открытия силового транзистора, другими словами благодаря падению напряжения на этом резисторе - приоткрывается транзистор Q1, транзистор этот должен быть с довольно высоким рабочим током коллектора, а именно не менее 3А, в противном случае мы ничего толкового не получим, так как сама микросхема в состоянии работать с таким током, но с другой стороный мы может распределить нагрузку сразу на двоих, то есть в работе одновременно будет и микросхема со своим транзистором и внешний транзистор, при этом сопротивление резистора R4 следует уменьшить и подобрать его исходя из токов через силовые элементы, в идеале эти токи должны быть равны. Но это не всегда удобно, так что лучше применить транзистор с током коллектора от 5А и более, лично я использовал транзистор D209L с током коллектора 10А, КУ транзистора роли не играет, главное его ток через коллектор, а так как работает он в ключевом режиме, то тепловыделение на нём будет гораздо меньше чем если бы он работал в линейном.Следовательно в данной схеме можно применить транзисторы с достаточно скромной максимальной мощностью.