На съезде производителей электронных устройств IEDM 2008, который состоится 15 декабря текущего года в Сан-Франциско, компания Intel расскажет о своих первых микросхемах, полученных по 32 нм технологическому процессу. Ячейка памяти будет иметь площадь около 0,171 кв.мкм, а сам тестовый чип будет содержать порядка 2 млрд. транзисторов. Она будет работать на частоте 3.8 ГГц при напряжении 1.1 В, хотя эти данные не имеют никакого отношения к характеристикам будущих 32 нм процессоров, которые Intel представит в конце следующего года. При производстве 32 нм чипов Intel будет использовать материалы с высоким значением диэлектрической константы (high-k) и транзисторы с металлическим затвором.
Сайт The Register сообщает, что конкурентам Intel тоже будет чем похвастать на IEDM 2008. В частности, TSMC тоже будет обсуждать полученные по 32 нм технологии ячейки памяти, а IBM покажет 32 нм ячейки памяти площадью 0,157 кв.мкм. Получается, что IBM удалось создать более компактные 32 нм ячейки памяти по сравнению с изделиями Intel.
Более того, в содружестве с AMD компания IBM покажет первую 22 нм ячейку памяти типа SRAM площадью 0,1 кв.мкм. Она тоже будет выпускаться с использованием материалов с высоким значением диэлектрической константы (high-k) и транзисторов с металлическим затвором. Ячейки памяти SRAM для производителей микросхем обычно являются "полигоном" для отладки технологии производства по новому техпроцессу. Факт начала освоения компанией IBM более "тонкого" 22 нм техпроцесса говорит о том, что AMD и её дочернее производственное предприятие могут заполучить эту передовую технологию едва ли не быстрее компании Intel
источник