|
Главная | Правила | Регистрация | Дневники | Справка | Пользователи | Календарь | Поиск | Сообщения за день | Все разделы прочитаны |
|
Опции темы | Опции просмотра |
20.12.2008, 18:34 | #1 (permalink) |
Member
Регистрация: 30.07.2008
Сообщений: 1,135
Сказал(а) спасибо: 0
Поблагодарили 0 раз(а) в 0 сообщениях
Репутация: 428
|
NEC представила разработки, которые будут применяться в производстве по нормам 32 нм
Работая над улучшением транзисторов, специалистам NEC Electronics удалось уменьшить ток утечки и сопротивление диффузного слоя, усовершенствовав процесс формирования диффузного слоя (исток-сток). Уменьшение сопротивления слоя позволило повысить ток в открытом состоянии на 60%, а ток утечки удалось уменьшить примерно на три порядка величины, как показали результаты тестирования транзистора типа MOS FET с длиной затвора 28 нм. В результате, полагают разработчики, энергопотребление больших интегральных схем в активном режиме может быть уменьшено на 30%. Особенно заметным эффект будет для однокристальных систем со встроенной памятью типа DRAM, поскольку снижение тока утечки позволяет понизить частоту регенерации. http://i058.radikal.ru/0812/e9/b9b271e433a1.jpg Что касается усовершенствований в области соединений внутри кристалла (на снимке), NEC Electronics говорит о создании «полностью пористой структуры с низкой диэлектрической постоянной», в которой пленка межслойного изолятора медных проводников состоит полностью из пористого вещества с k=2,5. Измерения прототипа, изготовленного по нормам 40 нм, показало, что паразитная емкость проводников снизилась на 15%. На столько же удалось уменьшить мощность, потребляемую микросхемой. По словам компании, эта технология станет основной в производстве по нормам 32 нм. Источник Последний раз редактировалось Вадим; 20.12.2008 в 19:11 |
20.12.2008, 18:34 | |
Helpmaster
Member
Регистрация: 08.03.2016
Сообщений: 0
|
Не поленитесь и прочитайте схожие топики Требуется компаньон для разработки идеи Два вопроса, на которые смогут дать ответ моддеры WiFi на производстве Обломались крючки на которые крепится радиатор Собираю команду для разработки игры. |
Ads | |
Member
Регистрация: 31.10.2006
Сообщений: 40200
Записей в дневнике: 0
Сказал(а) спасибо: 0
Поблагодарили 0 раз(а) в 0 сообщениях
Репутация: 55070
|
Метки |
nec, транзисторы |
Опции темы | |
Опции просмотра | |
|
|