|
|
Опции темы | Опции просмотра |
30.04.2010, 11:37 | #21 (permalink) |
Member
Регистрация: 26.04.2010
Сообщений: 12
Сказал(а) спасибо: 0
Поблагодарили 0 раз(а) в 0 сообщениях
Репутация: 10
|
|
30.04.2010, 14:41 | #22 (permalink) |
Banned
Регистрация: 01.09.2009
Сообщений: 4,396
Сказал(а) спасибо: 0
Поблагодарили 0 раз(а) в 0 сообщениях
Репутация: 2544
|
Схема в целом верна, однако:
1. Транзистор изображен не той структуры(PNP), а нужен NPN, а еще лучше - полевой (меньше потерь) (подойдет IRF630). Одним словом, стрелку в обозначении транзистора нужно развернуть. 2. Резистор R2 выбирается в зависимости от транзистора. Для биполярного, например КТ815, нужно 4700 Ом. Для полевого (IRF630) - 50 Ом. 4. Параллельно обмотке реле следует установить диод 1N4007, в обратной полярности (катодом на плюс). Это нужно для защиты транзистора. 5. Для повышения стабильности, нужно установить керамический конденсатор 0,1 мкф, параллельно питанию микросхемы. |
01.05.2010, 02:37 | #24 (permalink) |
Banned
Регистрация: 01.09.2009
Сообщений: 4,396
Сказал(а) спасибо: 0
Поблагодарили 0 раз(а) в 0 сообщениях
Репутация: 2544
|
А что у вас? КТ815 выдержит максимум 200 миллиампер, IRF630 - до 9 ампер.
Конденсатор можно удалить. |
Ads | |
Member
Регистрация: 31.10.2006
Сообщений: 40200
Записей в дневнике: 0
Сказал(а) спасибо: 0
Поблагодарили 0 раз(а) в 0 сообщениях
Репутация: 55070
|
|
|