Волнорез

Тогда вопрос, если у нас разность потенциалов на обкладках 5 вольт то заряды распределен на правой +2,5 а на левой -2,5 это так?

Николай_С

Это смотря относительно чего измерять.
Если ввести в диэлектрик конденсатора еще одну обкладку, равоудалённую от первых двух, то да. А если всё оставить как было, то нет.
Давайте сразу договоримся, что напряжение (физический смысл: разность потенциалов) будем измерять относительно двух точек, чётко обозначив их. В противном случае это не имеет смысла.

Волнорез

Надо переворить это) если вернутся к мультивибратору vt1 открыт, плюс С1 замыкается на минус питания, в узле между с1 и r2 потенциал -5 правильно?

Николай_С

Да, правильно, только не долго - только в момент открытия транзистора VT1. Конденсатор C1 через КЭ переход открытого транзистора VT1, источник питания, резистор R2 начинает разряжаться.

И еще одно: привыкайте правильно говорить, а значит и думать!
Не "потенциал", а разность потенциалов относительно корпуса (со временем последние два слова можно не писать, но это всегда подразумевается) равна -5 В.

Волнорез

Тааак, т.е. разряжается это значит минус пять стремится к нулю так?

Lastik

Совершенно верно... Николай тут уже все расписал в "красках"... Добавить нечего... Да и в других источниках также "на пальцах" объясняется!

Волнорез

Lastik ну не скажите первый раз такую детализацию вижу)

Волнорез

Пално нюансов ещё)

Волнорез

открытого транзистора VT1, источник питания, резистор R2 ....вот эта ветка сложно воспринимается

Lastik

Тут что сложного? В коллекторе транзисторов сопротивление низкое и поэтому заряд конденсаторов происходит быстро (пока VT закрыт)... Разряд должен происходить за время равное заряду. Когда транзистор открывается у него тоже есть сопротивление! Если представить транзистор в виде контакта у которого нет сопротивления, то и возникают непонятки. На переходах транзисторов тоже присутствует напряжение, но условно для понятия пути прохождения токов в цепи, принимается что сопротивление переходов равно 0 (контакт).
Резисторы R2 R3 высокоомные... Их задача создать небольшой ток насыщения транзистора в переходе Б-Э. При подаче напряжения на схему не известно какой транзистор откроется первым! Неидентичность полупроводников, знаете-ли...