Технический форум - IBM представила первый в мире чип на 7-ми нм технологическом процессе

Технический форум (http://www.tehnari.ru/)

- Железо (http://www.tehnari.ru/f86/)

IBM представила первый в мире чип на 7-ми нм технологическом процессе

Цитата:

Многие задаются вопросом, как долго ещё будет действовать закон Мура, поскольку по мере перехода на всё более тонкие технологические процессы соответствовать его требованиям становится чрезвычайно сложно. Компания Intel по причине производственных сложностей несколько раз откладывала релиз 14 нм процессоров Broadwell; производящая для AMD и Nvidia графические процессоры компания TSMC уже несколько лет использует 28 нм техпроцесс.

Вложение 232572

Intel планирует добраться до 10 нм к 2017 году, однако IBM, давшая миру немало фундаментальных прорывов в области вычислительной техники и вложившая в прошлом году $3 млрд. в подобные разработки, снова опережает всех соперников. Компания уже представила первый в мире 7 нм процессор, хотя и не готовый для промышленного производства.
Для создания такого чипа пришлось отказаться от чистого кремния. Совместно с GlobalFoundries, Samsung, институтом SUNY Polytechnic и рядом других партнёров IBM использовала сплав кремния и германия. Это повышает подвижность электронов, что при таких размерах особо актуально. 10 нм технологический процесс, по мнению IBM, станет конечной точкой использования чистого кремния.

Вложение 232573

При работе над процессором потребовалось задействовать последние достижения в области экстремальной ультрафиолетовой литографии. Плотность элементов на чипе удалось значительно увеличить, сократив его поверхность на 50% по сравнению с современными решениями. Результат обещан в 2017 году в виде 50% роста производительности или энергоэффективности и 20 млрд. транзисторов против 1,9 млрд. в процессорах Broadwell.

источник: oszone.net

Цитата:

Сообщение от Технарь (Сообщение 1144944)

50% роста производительности или энергоэффективности и 20 млрд. транзисторов против 1,9 млрд. в процессорах Broadwell.

Не замечая того, мы живем во время технологической революции!

Мне вот другое интересно...
Для производства полупроводниковых радиоэлементов используется монокристалл полупроводника (кремния, германия, арсенида галия и пр).
Как разработчики IBM (GlobalFoundries, Samsung, SUNY Polytechnic, или кто там ещё) умудрились сделать монокристалл из сплава двух разных полупроводников?

Цитата:

Сообщение от Технарь (Сообщение 1144944)

сплав кремния и германия.

А вот так. :)
На самом деле все несколько сложнее. Методом вакуумного напыления получили многослойный блин кремний-германий (сколько слоев - в первоисточнике не указано), дальше уже по известной и усовершенствованной технологии.

Цитата:

Сообщение от Николай_С (Сообщение 1144967)

Как разработчики IBM (GlobalFoundries, Samsung, SUNY Polytechnic, или кто там ещё) умудрились сделать монокристалл из сплава двух разных полупроводников?

Знали бы мы ответы на подобные вопросы наверное мы бы работали в IBM.

Да понятно что в тонкости техпроцесса нас никто посвящать не собирается, но хотя бы в общих чертах...
Технология выкуумного напыления применялась еще при создании микросборок. Я её наблюдал "вживую" в одном из нижегородских НИИ во время прохождения там производственной практики. Она (технология) не дает возможности выращивать монокристалл. А без монокристаллической структуры я что-то слабо представляю принцип создания и работы ИМС.

Цитата:

Сообщение от Николай_С (Сообщение 1145119)

Она (технология) не дает возможности выращивать монокристалл. А без монокристаллической структуры я что-то слабо представляю принцип создания и работы ИМС.

Николай, в данном случае монокристалла нет. Есть несколько-слойный пласт кремний-германий.