24 нм NAND флеш-память Toshiba
 

Вложение 20316
Компания Toshiba объявила о том, что она начала массовое производство модулей памяти NAND флеш, выполненных с использованием 24-нанометровой технологии. Такой техпроцесс используется в 64 Гбитных компонентов с плотностью 2 бита на ячейку. Это дает самую высокую плотность в индустрии на данный момент - 8 Гб на один чип. В дальнейших планах компании - распространить тот же способ на производство 32 Гбитных компонентов и решений с плотностью 3 бита на ячейку.

По словам Toshiba, использование столь тонкого технологического процесса влечет за собой уменьшение размеров чипа, что вполне логично открывает перспективы создания и более компактных электронных устройств. Новые продукты также используют технологию Toggle DDR, которая позволяет повысить скорость передачи данных. Как отмечает компания, ее новая память может быть использована в смартфонах и коммуникаторах, цифровых видеокамерах, планшетах и так далее. Стоит отметить, что для этих продуктов размер имеет значение, то есть их, зачастую, стремятся сделать более компактным и тонкими.
ferra