|
Главная | Правила | Регистрация | Дневники | Справка | Пользователи | Календарь | Поиск | Сообщения за день | Все разделы прочитаны |
|
Опции темы | Опции просмотра |
17.03.2018, 17:54 | #61 (permalink) | |
Member
Регистрация: 19.07.2017
Адрес: Украииа
Сообщений: 3,600
Сказал(а) спасибо: 50
Поблагодарили 5 раз(а) в 3 сообщениях
Репутация: 23905
|
Цитата:
А у железа и проницаемость, и индукция насыщения большие. Тут вопрос по снабберу. 2н маловато будет, а 10н будет греться резистор у RCD снаббера, особенно, если схема собрана по схеме с обмоткой размагничивания. Два снаббера резисторы выдадут мощность рассеивания ватт 20-30. Вот простая схема рекуперационного снаббера, которая собиралась в железе. Работает без ни какой настройки. аналог RCD но резистор заменен на кучу диодов, конденсаторов и дроссель. Это получается схема блока питания с умножением напряжения в 4 раза. Т.е. ток идет всегда, и энергия, что должна рассеиваться идет в конденсатор питания. Проверил в железе, работает отлично. Ведь 20-100 ватт приятнее отправить в нагрузку, чем греть плату. И емкость конденсаторов можно увеличить до 10 и более нФ, тогда вообще будет работать без проблем, и динамческой мощности будет мизер. Настройки не требует, намотал дроссель, ок 50мкГн, что бы ток был ок 2-5А, и все заработает. Dc1 и Dc2 я обозначил силовые диоды косого моста. |
|
18.03.2018, 13:19 | #63 (permalink) |
Member
Регистрация: 19.07.2017
Адрес: Украииа
Сообщений: 3,600
Сказал(а) спасибо: 50
Поблагодарили 5 раз(а) в 3 сообщениях
Репутация: 23905
|
Попробуем расчитать, что получится с распыленным кольцом:
Возьмем самое большое. внутренний диаметр 88 мм. Материал -2 Площадь окна -6000мм кв. площадь сечения магнитопровода: 7,62 см кв Индуктивность дросселя необходимое в работе, посчитаем на рабочую частоту 25 кгц или 40мкСек напряжение импульса на выходе - 310/4=77,5в Ток мах 150А,мах пульсаци 30А (от 135 до 165А) Т.е. индуктивность: Есь формула: I=U*dT/L Отсюда: L=U*dT/I dT=25мкСек (половна периода) L=77,5*25е-6/30=65мкГн С запасом -100 мкГн. AL=58нГ/(витков в кв) 100/50е-3=1724 или число витков дросселя: SQRT(1724)=42 витка. Тогда индуктивность равна: 42*42*58=102 мкГн I=U*dT/L Отсюда dT=I*L/U=175*102е-6/77,5=238мкСек это мы посчитали, за колько ток в дроселе выростет до 175А при напряжении импульса 77,5в Есть формула: W=U*dT/(S*B *100) Отсюда B=U*dT/(S*W*100)=77,5*238/(7,62*42*100)=0,57т Т.е. можно еще увеличивать витки в 1,4 раза (корень из 2), приняв мах индукцию за 1,14 (индукция насыщения ок 1,5). Или индуктивность дросселя будет 200 мкГн. Или пульации 15А. Это пример, посчитав на своем дросселе можно однозначно ответить, годится или не годится данное кольцо. |
18.03.2018, 16:08 | #64 (permalink) | |
Member
Регистрация: 19.07.2017
Адрес: Украииа
Сообщений: 3,600
Сказал(а) спасибо: 50
Поблагодарили 5 раз(а) в 3 сообщениях
Репутация: 23905
|
Цитата:
Посчитаем это колцо: К46,7*24,1*18 Окно 24,1*455 мм кв. 150 А требует сечения при плотности тока 7А: 150/7=22кв мм Или 455/22=20,6, ок 10% потери за счет неполного заполнения. Или максимально можно намотать 18 витков проводом сеченем 22кв мм. Площадь сечени магнитопровода:я: 1,88 кв см AL=24*7,5=180 (для сиеси -2 AL=24, а смесь -52 проницаемость в 7,5 раз выше). Уже посчитано, индуктивность 100мкГн 100/180е-3=555 SQRT(555)=более 18 Значит: 18*18*180е-3=58,3 При 2 вместе кольцах индуктивность увеличится вдвое, или 116мкГн И площади магнитопровода увеличится вдвое=3,76кв см Посчитаем врмя для достиженичя рабочего тока. dT=I*L/U=175*116/77,5=262мкСек Посчитаем индукцию: B=U*dT/(S*W*100)=77,5*262/(3,76*18*100)=3 Тесла Индукция равна 3, а материал входит в насыщение при 1,5 Тесла. Т.е. можно намотать 9 витков, тогда индуктвность упадет в 4 раза (29мкГн), а ток насыщения увеличится вдвое. Но пульсации будут: I=U*dT/L=77,5*20е-6/29е-6=53А Два вместе кольца и 9 витков, и будет работать, конечно хуже , чем с хорошим дросселем, но варить можно. Последний раз редактировалось derba; 18.03.2018 в 16:14 |
|
12.06.2018, 20:06 | #65 (permalink) |
Новичок
Регистрация: 12.06.2018
Сообщений: 1
Сказал(а) спасибо: 0
Поблагодарили 0 раз(а) в 0 сообщениях
Репутация: 10
|
Вопрос. Соединение транзисторов в параллель. Так можно или нельзя IGBT и какие можно.
|
Ads | |
Member
Регистрация: 31.10.2006
Сообщений: 40200
Записей в дневнике: 0
Сказал(а) спасибо: 0
Поблагодарили 0 раз(а) в 0 сообщениях
Репутация: 55070
|
12.06.2018, 22:06 | #66 (permalink) |
Member
Регистрация: 01.09.2010
Сообщений: 6,440
Записей в дневнике: 15
Сказал(а) спасибо: 56
Поблагодарили 163 раз(а) в 20 сообщениях
Репутация: 54179
|
можно, но только одинаковые и в затвор каждого - свой резистор, закреплять только на один радиатор , очень желательно без прокладок и с минимумом теплопроводящей пасты (но без неё тоже нельзя) .
|
10.10.2018, 21:13 | #67 (permalink) |
Новичок
Регистрация: 10.10.2018
Сообщений: 1
Сказал(а) спасибо: 0
Поблагодарили 0 раз(а) в 0 сообщениях
Репутация: 10
|
что может влиять на форму сигнала на ключах (К-Э) ?
|
Ads | |
Member
Регистрация: 31.10.2006
Сообщений: 40200
Записей в дневнике: 0
Сказал(а) спасибо: 0
Поблагодарили 0 раз(а) в 0 сообщениях
Репутация: 55070
|
Опции темы | |
Опции просмотра | |
|
|