06.04.2017, 20:08 | #1 (permalink) |
Новичок
Регистрация: 06.04.2017
Сообщений: 3
Сказал(а) спасибо: 0
Поблагодарили 0 раз(а) в 0 сообщениях
Репутация: 10
|
Определить глубину исток-стоковых областей n- и p-канальных транзисторов
областей n- и p-канальных транзисторов, считая для случая n+ – областей разгонку из бесконечно-тонкого источника, параметры загонки которой определены диффузией из постоянного источника за время загонки. Маршрут КМОП для НЭЧ (несамосовмещённый вариант) Микросхемы для НЭЧ где источником питания является маломощная батарейка, должны потреблять мало тока (для чего используем КМОП элементную базу) и работать при условии, что сумма пороговых напряжений КМОП транзисторов не может быть больше напряжения питания батарейки, равной ЕП = 1.5В. Подложка КЭФ 20 (100), N ~ 2.5*1014 см-3 1. Х/О 2. Окисление 1000оС вл. О2 d=0,3мкм (поверхность для проведения фотолитографии) 3. Ф/л “карман” (создание областей расположения n-канальных транзисторов) 4. Травление SiO2 (HF:NH4F:H2O - буферный травитель) 5. ИИ В D=0,9мкк/см2 Е=100кэв (Доза определяется значением VT и UПР NMOS тр-ра) 6. Снятие резиста 7. Х/О 8. Разгонка кармана 1200оС t t =?, xj =?, О2+N2 (О2 - для формирования метки) 9. Снятие SiO2 10. Х/О 11. Окисление 1000оС сух. О2 d = 425Ао (формирование малодефектной границы раздела Si-SiO2), (Более сильное окисление приводит к обеднению поверхности бором) 12. Нанесение SiO2 из ТЭОС d = 0,6мкм (маска при последующей диффузии) 13. Ф/л “исток-сток n-канальных транзисторов” (одновременно формируются противоинверсионные области для изоляции р- канальных транзисторов) 14. Травление SiO2 15. Снятие резиста 16. Х/О 17. Диффузия из хим. источника (жидкий источник POCl3) 1000оC 10мин до NМАКС =5*1021 см-3 (диффузия из постоянного источника) 18. Снятие ФСС в буферном травителе 30 сек (скорость травления ФСС значительно больше, чем SiO2, поэтому SiO2 остается везде кроме вскрытого кремния, на него легко наложить резист) 19. Ф/л “исток-сток p-канальных транзисторов” (одновременно формируются противоинверсионные области для изоляции n - канальных транзисторов) 20. Травление SiO2 21. ИИ В Q = 300мкк/см2 Е=80кэв (Большая доза необходима для омического контакта) 22. ПХУФ (Вследствие сильного задубливания резиста) 23. Х/О 24. Отжиг 1000С N2 60 мин (восстановление решетки кремния) 25. Снятие SiO2 26. Х/О 27. Окисление под затвор 1000С сух. О2 с HCl d=0,1 мкм (HCl – для очистки от примесей металлов, которые связываются хлором). 28. Ф/л “контакты” 29. Травление SiO2 d = 0,1мкм 30. Снятие резиста 31. Х/О (освежение 1 HF) (удаление естественного окисла в контактных окнах) 32. Нанесение Al d = 1 мкм (вследствие большой глубины стоков лучше использовать чистый Al) 33. Ф/л “разводка + затвор” 34. Травление Al d=1 мкм (Смесь ортофосфорной и азотной кислоты) 35. Нанесение ФСС 430С d=1,0 мкм, содержание фосфора в SiO2 - 35% (ограничения: эффективность геттерирования Na и образование ортофосфорной кислоты из – за влаги в окружающей среде) 36. Ф/л “площадки” 37. Травление ФСС до Al 38. Снятие резиста 39. Вжигание Al 430С 30' H2+N2 |
06.04.2017, 20:08 | |
Helpmaster
Member
Регистрация: 08.03.2016
Сообщений: 0
|
Возможно в этих темах уже есть ответы Не могу определить маркировку транзисторов в корпусе КТ 13 по коду Через какую программу можно заполнить сразу несколько текстовых областей сайтов? Справочник транзисторов закрепление областей в MS Excel |
07.04.2017, 01:01 | #3 (permalink) |
Member
Регистрация: 05.05.2010
Адрес: Молдова Бельцы
Сообщений: 8,148
Сказал(а) спасибо: 3
Поблагодарили 13 раз(а) в 5 сообщениях
Репутация: 58387
|
Dimon_mmf, стесняюсь спросить, а это всё о чём вообще и кому это надо на радиолюбительском форуме ?
__________________
Да здравствует то, благодаря чему, мы не смотря ни на что. |
07.04.2017, 20:37 | #5 (permalink) |
Banned
Регистрация: 06.03.2017
Сообщений: 788
Сказал(а) спасибо: 0
Поблагодарили 18 раз(а) в 4 сообщениях
Репутация: 5680
|
Есть такой город - Зеленоград и там много фирм по разработке микросхем
|
Ads | |
Member
Регистрация: 31.10.2006
Сообщений: 40200
Записей в дневнике: 0
Сказал(а) спасибо: 0
Поблагодарили 0 раз(а) в 0 сообщениях
Репутация: 55070
|
07.04.2017, 23:09 | #6 (permalink) |
Специалист
Регистрация: 27.08.2008
Адрес: Санкт-Петербург
Сообщений: 27,807
Сказал(а) спасибо: 340
Поблагодарили 583 раз(а) в 208 сообщениях
Репутация: 113184
|
То есть, если я правильно понял, нужно просчитать все технологические этапы изготовления полевого транзистора? Ох, и ничего ж себе задачка... Курсовичок? Вообще-то тут работы для целого КБ...
|
09.04.2017, 17:27 | #8 (permalink) |
Новичок
Регистрация: 06.04.2017
Сообщений: 3
Сказал(а) спасибо: 0
Поблагодарили 0 раз(а) в 0 сообщениях
Репутация: 10
|
Все этапы уже есть. Нужно определить только 2 параметра.
|
Ads | |
Member
Регистрация: 31.10.2006
Сообщений: 40200
Записей в дневнике: 0
Сказал(а) спасибо: 0
Поблагодарили 0 раз(а) в 0 сообщениях
Репутация: 55070
|
Метки |
кмоп, маршрут, микроэлектроника, нэч, транзистор |
|
|