07.09.2012, 16:24 | #11 (permalink) |
Member
Регистрация: 28.07.2011
Сообщений: 275
Сказал(а) спасибо: 0
Поблагодарили 0 раз(а) в 0 сообщениях
Репутация: 193
|
|
07.09.2012, 16:24 | |
Helpmaster
Member
Регистрация: 08.03.2016
Сообщений: 0
|
Подобные темы уже не раз создавались, вот они Что за транзистор? Что за транзистор? Транзистор Транзистор Транзистор МП42 |
07.09.2012, 23:32 | #12 (permalink) | |
Member
Регистрация: 15.08.2011
Сообщений: 888
Сказал(а) спасибо: 0
Поблагодарили 7 раз(а) в 5 сообщениях
Репутация: 384
|
Цитата:
Сопротивление замкнутых контактов реле в районе 0,1 Ом. У биполярного транзистора на переходах коллектор-эмиттер падает часть напряжения, выделяется тепло. Можно использовать полевой транзистор. |
|
08.09.2012, 11:50 | #15 (permalink) |
Member
Регистрация: 28.07.2011
Сообщений: 275
Сказал(а) спасибо: 0
Поблагодарили 0 раз(а) в 0 сообщениях
Репутация: 193
|
Значит коэффициент насыщения взяли не достаточно большим. В некоторых справочниках пишут напряжение кэ в режиме насыщения, согласен есть и по 0.8 падает в насыщении, но зачем нам такие??? В общем автора темы , что то не видать, наверное уже решил свою проблему. Если смущает падение напряжения 0.1-0.2 В , то можно взять MOSFET , и сделать ключ на нём.
|
Ads | |
Member
Регистрация: 31.10.2006
Сообщений: 40200
Записей в дневнике: 0
Сказал(а) спасибо: 0
Поблагодарили 0 раз(а) в 0 сообщениях
Репутация: 55070
|
08.09.2012, 20:37 | #17 (permalink) |
Member
Регистрация: 28.07.2011
Сообщений: 275
Сказал(а) спасибо: 0
Поблагодарили 0 раз(а) в 0 сообщениях
Репутация: 193
|
Коэффициент насыщения s равен отношению тока базы к току базы насыщения ( s = Iб/Iбнас ) . Ток Iбнас это ток , при котором ток коллектора перестаёт быть зависимым от тока базы , т.е. соотношение Iк = B * Iб , не выполняется, а выполняется неравенство Iк < B * Iбнас , если посмотрите на ВАХ (Iк,Uкэ ) на которых нанесена нагрузочная прямая , то увидите , что рабочая точка достигнув линии насыщения дальше идти не может, но ток базы в это же время можно увеличивать, задавая степень насыщения транзистора, в данном случае есть понятие граничного заряда Qгр , который является критерием перехода транзистора из активной области в область насыщения, тогда степень насыщения можем показать как отношение ( Q - Qгр )/Qгр , разность Q - Qгр называется избыточным зарядом (Qизб), тогда становится понятно , что чем глубже степень насыщения ,тем больше избыточный заряд в базе. В процессе выключения для рассасывания Qизб необходимо время, этот негативный процесс можно видеть как растянутые фронты импульсов , что не есть хорошо. Отсюда можно сделать вывод , что степень насыщения транзистора влияет на скорость переключения схемы и на напряжения uкэ в режиме насыщения, на практике принято брать s = 1.5 - 2 . Странно , что вы этого не знаете, если паяли ключи.
|
09.09.2012, 18:26 | #19 (permalink) |
Member
Регистрация: 28.07.2011
Сообщений: 275
Сказал(а) спасибо: 0
Поблагодарили 0 раз(а) в 0 сообщениях
Репутация: 193
|
Я же написал , что s - это коэффициент насыщения. Почитайте книгу Ицхоки Я.С.Импульсные и цифровые устройства , может просто я так написал не понятно. Транзисторы ??? В любом справочнике , допустим КТ916А,2Т916Аи т.д.
|
12.09.2012, 23:10 | #20 (permalink) |
Banned
Регистрация: 15.07.2012
Сообщений: 989
Записей в дневнике: 4
Сказал(а) спасибо: 0
Поблагодарили 0 раз(а) в 0 сообщениях
Репутация: 641
|
транзисторы
Всем привет посоветуйте плиз. Какой транзистор помощней КТ 805 либо КТ 819 который будет поменьше грется и пропускать тока больше. Я в смысле ампер в даташитах я чайник сколько не смотрел ничего не понял стоять будет на выходе вибратора для усиления тока на обмотках катушки. Спасибо
|
Ads | |
Member
Регистрация: 31.10.2006
Сообщений: 40200
Записей в дневнике: 0
Сказал(а) спасибо: 0
Поблагодарили 0 раз(а) в 0 сообщениях
Репутация: 55070
|
|
|