Напряжение насыщения - Страница 2

Cruzzz · 10.02.2012, 07:38

upd: нарыл ГОСТ для наиболее точной формулировки:
"Измерение заключается в измерении напряжения между выводами транзистора при заданных постоянных токах коллектора и базы"

*упрощено - это падение напряжения на КЭ + БЭ (при определенных токах каждого).

KYPA · 10.02.2012, 11:58

Спасибо.
Поясните пожалуйста эту фразу:

Напряжение насыщения КЭ при токе х Ампер равно у Вольт.

willow · 10.02.2012, 17:14

Сопротивление тела коллектора транзистора (речь идёт о паразитном последовательном сопротивлении в коллекторной цепи) при разных токах изменяется, меняется и напряжение насыщения транзистора.

Cruzzz · 10.02.2012, 20:26

Цитата:

Сообщение от KYPA

Поясните пожалуйста эту фразу:

Вам уже отвечали на этот вопрос:

Цитата:

Сообщение от George Smith

это рабочее в данный момент падение напряжения КЭ ...

KYPA · 10.02.2012, 20:42

Цитата:

Сообщение от Cruzzz

Да, есть. БЭ, например.

А разве у открытого кремниевого транзистора напряжение БЭ не 0,6...0,7 В?

Cruzzz · 10.02.2012, 22:00

Около того. Если не ошибаюсь, ВАх (вольт-амперная зрактеристика) БЭ у кремниевых биполярных транзисторов линейная или близка по форме к линейной. При этом ВАХ на КЭ линейной быть не может. Поэтому и выбирают установленное значение IнасКЭ для определения UнасКЭ.

KYPA · 10.02.2012, 22:05

Цитата:

Сообщение от Cruzzz

ВАх (вольт-амперная зрактеристика) БЭ у кремниевых биполярных транзисторов линейная или близка по форме к линейной.

Cruzzz · 10.02.2012, 22:16

На графиках наблюдается линейная зависимость перехода БЭ по напряжению и току в диапазоне от начала открытия до насыщения. Что-то не так?

KYPA · 10.02.2012, 22:23

Я думал у полупроводников не может быть линейной зависимости...

Cruzzz · 11.02.2012, 01:56

И правильно думали, полная ВАХ в принципе не может быть прямой. Я сказал только про ее участок положительных значений для перехода БЭ в указанных условиях (от открытия до насыщения). А он близок к прямой (но таковой не является).

Впрочем, это уже частности, поскольку основным параметром будет являться UнасКЭ.
*если желаете вникнуть полностью в методику - читайте ГОСТ 18604.22-78.

10.02.2012, 07:38	#11 (permalink)
Cruzzz Member Регистрация: 15.01.2011 Сообщений: 1,083 Записей в дневнике: 2 Сказал(а) спасибо: 12 Поблагодарили 0 раз(а) в 0 сообщениях Репутация: 3671	upd: нарыл ГОСТ для наиболее точной формулировки: "Измерение заключается в измерении напряжения между выводами транзистора при заданных постоянных токах коллектора и базы" *упрощено - это падение напряжения на КЭ + БЭ (при определенных токах каждого).

10.02.2012, 07:38
Helpmaster Member Регистрация: 08.03.2016 Сообщений: 0	В этих постах вы сможете найти интересующую вас информацию Напряжение на выходе 3.5 мм Как понизить напряжение? Как понизить напряжение? Высокое напряжение Регулятор напряжение от 0,5v до 10v Измерить напряжение в USB

10.02.2012, 11:58	#12 (permalink)
KYPA Member Регистрация: 15.08.2011 Сообщений: 888 Сказал(а) спасибо: 0 Поблагодарили 7 раз(а) в 5 сообщениях Репутация: 384	Спасибо. Поясните пожалуйста эту фразу: Напряжение насыщения КЭ при токе х Ампер равно у Вольт.

10.02.2012, 17:14	#13 (permalink)
willow Member Регистрация: 28.01.2012 Сообщений: 651 Сказал(а) спасибо: 0 Поблагодарили 0 раз(а) в 0 сообщениях Репутация: 1299	Сопротивление тела коллектора транзистора (речь идёт о паразитном последовательном сопротивлении в коллекторной цепи) при разных токах изменяется, меняется и напряжение насыщения транзистора.

Ads
Яндекс Member Регистрация: 31.10.2006 Сообщений: 40200 Записей в дневнике: 0 Сказал(а) спасибо: 0 Поблагодарили 0 раз(а) в 0 сообщениях Репутация: 55070

10.02.2012, 22:00	#16 (permalink)
Cruzzz Member Регистрация: 15.01.2011 Сообщений: 1,083 Записей в дневнике: 2 Сказал(а) спасибо: 12 Поблагодарили 0 раз(а) в 0 сообщениях Репутация: 3671	Около того. Если не ошибаюсь, ВАх (вольт-амперная зрактеристика) БЭ у кремниевых биполярных транзисторов линейная или близка по форме к линейной. При этом ВАХ на КЭ линейной быть не может. Поэтому и выбирают установленное значение IнасКЭ для определения UнасКЭ.

10.02.2012, 22:16	#18 (permalink)
Cruzzz Member Регистрация: 15.01.2011 Сообщений: 1,083 Записей в дневнике: 2 Сказал(а) спасибо: 12 Поблагодарили 0 раз(а) в 0 сообщениях Репутация: 3671	На графиках наблюдается линейная зависимость перехода БЭ по напряжению и току в диапазоне от начала открытия до насыщения. Что-то не так?

10.02.2012, 22:23	#19 (permalink)
KYPA Member Регистрация: 15.08.2011 Сообщений: 888 Сказал(а) спасибо: 0 Поблагодарили 7 раз(а) в 5 сообщениях Репутация: 384	Я думал у полупроводников не может быть линейной зависимости...

11.02.2012, 01:56	#20 (permalink)
Cruzzz Member Регистрация: 15.01.2011 Сообщений: 1,083 Записей в дневнике: 2 Сказал(а) спасибо: 12 Поблагодарили 0 раз(а) в 0 сообщениях Репутация: 3671	И правильно думали, полная ВАХ в принципе не может быть прямой. Я сказал только про ее участок положительных значений для перехода БЭ в указанных условиях (от открытия до насыщения). А он близок к прямой (но таковой не является). Впрочем, это уже частности, поскольку основным параметром будет являться UнасКЭ. *если желаете вникнуть полностью в методику - читайте ГОСТ 18604.22-78.