adapter

С одной стороны да, барьер базы для для дырок высок и не выгодно дыркам лезть на него по этому некоторые N/h21э всё-таки полезут на него, дыркам проще скатится.
С другой стороны область W1 ближе и энергетически выгодно идти через неё и по этому всё N должны идти череэ неё но это активная область и это rб, вот тут всё равно "не срастается"!

Миниатюры

 

Кузьмин

adapter, Вы написали:
4.На заводе, с помощью разных технологий соединяю n-тип с р-тип на границе у n-типа положительные у р-типа отрицательные появляется внутренне поле.
На каком заводе работаете?

adapter

Это из книг, интернета.

Кузьмин

В источниках пишут- соединяюТ.

Николай_С

Как инженер-технолог РЭА позволю себе не согласиться по четвёртому пункту.Ничего там нигде не соединяют. Вкратце технология планарно-эпитаксиальных транзисторов выглядит так:
- на подготовленный монокристалл полупроводника (кремния) "капают" донора (мышьяк) и греют до его глубокой диффузии. В дальнейшем это будет коллектором;
- в середину ранее полученного пятна "капают" акцептора (сурьму) и греют до менее глубокого проникновения. В дальнейшем это будет базой;
- в середину пятна ещё раз "капают" донора (мышьяк), только бОльшей концентрации и греют так, чтобы донор продиффундировал почти до коллектора, но не прошёл дальше слоя базы. Это будет эмиттером.
- затем формируют металлические контакты, нарезают на отдельные квадратики и припаивают к корпусу транзистора. Т.о. коллектор оказывается соединённым с металлическим корпусом, а остальные электроды распаивают золотыми проводками.
Как-то так. А то, что схематично рисуют для объяснения принципов работы, является "вырезкой" центральной области в которую капали примеси.

кочевник

Да, конечно. Приношу ТС извинения. ))

adapter

Не принимается, с вас должёк, вопрос был утачнён, где ответ?))