Di-m

Подскажите, есть схема как на рисунке.
Понятно, что в режиме покоя (без Uвх) резисторы Rб и Rбэ служат как делитель напряжения для создания фиксированного напряжения URбэ. Тогда любое изменение тока Iэ вызовет увеличение падения напряжения на Rэ и уменьшение Uбэ,(Uбэ=URбэ-URэ) что ведет к закрытию pn перехода, уменьшению тока базы и соответственно тока Iк. (Отриц.обратная связь)
Но если подать на вход переменный сигнал (напряжение), то потенциал точки 'ф' будет изменяться в большую или меньшую стороны в зависимости от волны? И в таком случае получается, что у нас уже не будет фиксированного URбэ. Т.е уравнение Uбэ=URбэ-URэ не будет работать, т.к URбэ меняется?

Миниатюры

 

Mr.Fix

Будет работать, изменяться так же будет напряжение и на Rэ.

СветLANa

Неправильно. Вы же сами написали - "Отриц.обратная связь", то есть, увеличение напряжения на базе (увеличение базового тока) приведёт к прикрытию транзистора, а уменьшение напряжения (уменьшение базового тока) - к приоткрытию транзистора.
А чтобы ООС не влияла на входной сигнал, то Rэ часто шунтируют конденсатором достаточной ёмкости...

__________________
Если хотите, чтобы жизнь улыбалась вам, подарите ей своё хорошее настроение

derba

Как рассчитать схему? Хотя бы примерно. Падение напряжение БЭ примем 0.65-0.7в.
Сделаем преобразование схемы, сигнал отбираем с змиттера, а сопротивление коллектора сделаем нулевым. Что получили? Эмиттерный повторитель, см рис 2. Его К ус= b/(1+b)
Сопротивление транзистора по входу = b*Rэ.
Где коэф усиления по току. К примеру , b=100.
Если RЭ равен 1к , то входное сопротивление транзистора будет 100к, соответственно делитель должен быть с меньшим общим сопротивлением.

Вернемся к рис 1. Ток одинаков, (или почти одинаков) для резистора Rэ и Rк
То и к усиления каскада будет равно: Rк/Rэ ( точнее (b/(1+b))^2*( Rк/Rэ) . На большем номинале резистора и больше падает напряжение. Если поставить конденсатор, в параллель RЭ, то активное сопротивление конденсатора на переменном токе мало, соотв и растет усиление всего каскада, тут уже сложная зависимость, тут и падает входное сопротивление транзистор, что уменьшает к усиление каскада, ведь и предыдущий каскад имеет свое выходное сопротивление.

Миниатюры

 

derba

Хорошо в таких случаях помогают симуляторы. Они достаточно точно воспроизводят процессы. Вот, LTspice IV. Простой и довольно мощный симулятор, и довольно точный.
Вот, вверху графики для транзистора BC547A у него к ус по току около 100, и графики внизу, транзистор BC547С с коэф усиления около 500.
1 Режимы по постоянному току, практически одинаковы для обеих транзисторов.
2 Усиление без конденсатора возле эмиттерного резистора, тут так же режимы практически равны.
3 А вот, с конденсатором у резистора при эмиттере тут разница чувствуется, с транзистором имеющий малый к усиления усиливается сигнал ок 18 раз. С транзистором имеющий большой к силения мы имеем испорченный сигнал на выходе. Верхняя часть синусоиды растянута, нижняя сужена, и еще обрезана. Так будет и в реале (в железе).

Миниатюры

 

derba

Разница останется, по модели это около 0.661в, и эта разница что в верхней части синусоиды, что в нижней. Т.е напряжение на базе тянет за собой напряжение на эмиттере, и разница остается постоянной.
Т.е уравнение Uбэ=URбэ-URэ работает.

Миниатюры

 

Николай_С

Не, не так.
Биполярный транзистор - токовый прибор (в отличие от мосфета), поэтому говорить надо о токах: Rб задаёт ток смещения рабочей точки, а Rбэ нужен для рассасывания зарядов с базы.
Так понятней?
А напряжение на базе бутет такое, какое положено при открытом p-n-переходе - для кремния порядка 0,6 В.

Lastik

Понятие фиксированного смещения дано для режима по постоянному току. Сигнал переменного напряжения не нужно сюда приплетать... На схеме, где сопротивления указаны буквами, не возможно оценить работу схемы, а только понять принцип ее действия. Внимательно посмотри номиналы резисторов в схемах симуляторов (делитель. 100к и 30к, а в эмиттере 1к). Правильно тебе Светлана указала на ошибку. Цепь коллектора и эмиттера являются сильноточными, по отношению к делителю базы. И к тому же сигнал на базе меняется в миливольтах, а вот на выходе транзистора единицы вольт.

Di-m

Всем большое спасибо за пояснения, разобрался.