Корпорация
Samsung первой в мире сумела поставить на конвейер «трехмерные микросхемы вертикальной флэш-памяти» (
3D V-NAND), которые позволят кардинально улучшить характеристики флэш-накопителей.
Первый образец чипа 3D V-NAND — 24-слойная микросхема на 128 Гбит, которую будут использовать для производства накопителей объемом от 128 ГБ до 1 ТБ.
Разработчики говорят, что это только начало, в будущем количество слоев можно существенно увеличить, что снимает нынешние ограничения на максимальный объём флэш-памяти заданного размера. Так, следующее поколение 3D V-NAND будет уже с 32-мя слоями, а дальше — еще больше. Емкость флэш-накопителей может быть увеличена до нескольких терабайт уже сейчас, если на них появится спрос у потребителей.
Вдобавок, «трехмерные» чипы гораздо надежнее «плоских». Samsung говорит, что их надежность «в 2-10 раз выше», чем у обычных 10-нанометровых чипов NAND, и скорость записи тоже вдвое больше. Это весьма обнадеживающее заявление, ведь традиционно считалось, что многослойные ячейки памяти (MLC) получают преимущество в плотности информации за счет скорости и надежности.
Источник.