Андрей, приведенная тобой цитата для германиевых планарных (плоских сплавных) транзисторов. Кремниевые транзисторы делались по
планарно-эпитаксиальной технологии (методом наращивания) и в качестве основы уже был коллектор. Его сажали на теплоотвод или центральную ногу (КТ315). Тут я с Юрием Андреевичем полностью согласен - так ошибиться невозможно.