04.02.2017, 13:39
|
#11 (permalink)
|
|
Member
Регистрация: 31.08.2015
Сообщений: 19,433
Сказал(а) спасибо: 283
Поблагодарили 213 раз(а) в 96 сообщениях
Репутация: 80884
|
Цитата:
Сообщение от George Smith
Сделать коллектор с боку технологически не возможно, центральная пластина основания кристалла, однако ?...
|
Изобретение транзистора — Википедия
Оттуда же
Цитата:
|
В основе типичного сплавного транзистора PNP-типа была тонкая пластина германия n-типа, служившая базой. Эти пластины сплавлялись с индиевыми или мышьяковыми бусинами, а затем отжигались при температуре около 600 °С. При правильном выборе ориентации пластин в них формировались строго параллельные эпитаксиальные слои рекристаллизованного германия n-типа. Толщина базы задавалась временем отжига. Пластина монтировалась на несущую арматуру корпуса в бескислородной среде (азот или аргон), а затем корпус герметично заваривался. Герметизация не могла заменить должной пассивации поверхности p-n-переходов, поэтому параметры сплавных транзисторов были нестабильны во времени[84]. Практически все сплавные транзисторы изготавливались из германия — реализация сплавной технологии в кремнии оказалась слишком сложной и дорогой[85].
|
|
|
|